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　　TDP散热设计功耗（TDP，ThermalDesignPower）是指正式版CPU在满负荷(CPU利用率为100%的理论上)可能会达到的高散热热量，散热器在处理器TDP大的时候，处理器的温度仍然在设计范围之内。但要注意，由于CPU的核心电压与核心电流时刻都处于变化之中，这样CPU的实际功耗（其值:功率W=电流A×电压V）也会不断变化，因此TDP值并不等同于CPU的实际功耗，更没有算术关系。因此，TDP只是一个参考值，用来表征该CPU发热的高低。

　　Intel现在的处理器开发模式是“Tick-Tock”，也是每两年更新一次微架构(Tock)，中间交替升级生产工艺(Tick)。Nehalem是采用45nm工艺的新架构，而2009年的Westmere将升级到32nm，2010年的SandyBridge又是新架构。显示，Intel将在2012年4月推出“IVYBridge”，也就是SandyBridge的22nm工艺升级版；2013年再推出“Haswell”，基于22nm工艺的又一个新架构。现在已经可以基本确定Intel22nm之后的下一站将停留在15nm，已经有很多据明了这一点，据说台积电也是如此，不过也有说法提到了16nm、14nm等不同节点，而且IBM/AMD的规划就是16nm。再往后应该就是11nm，不过Intel也曾在不同场合提及过10nm，看来遥远的未来仍然充满了未知数。代号方面之前有人说2013年的22nmHaswell后边是应该是Rockwell，按惯例架构不变、工艺升级，不过SemiAccurate网站今天曝料称，其实真正迈入后20nm时代的将是“Broadwell”，再往后工艺不变、架构革新的将是“SkyLe”(另一说SkyLe)，届时甚至可能会集成源于Larrabee项目的图形核心，当然前提是Intel能够真正找到充分发挥x86架构图形效率的门路。还要往后？那我们再说一个名字“Skymont”。可以预料，到时候又会升级工艺了，按照现在的初步规划将会是11nm，但怎么着也得是2016年的事情了。

　　四级缓存在消费级市场中出现是近才有的。Intel的Crystallwell架构CPU采用了四级缓存，其本质实际上是eDRAM，给CPU中整合的的核显GT3e使用，当作临时显存。从相关评测中可以看出，这个四级缓存对于核显的性能提升比较显著，但是对于CPU原本的计算则没有影响。未来四级缓存的发展，还需要对市场的进一步观察。CPU-Z的右下角可以查看CPU的缓存大小，查看四级缓存则需要切换到第二个选项卡“缓存（Caches）”

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