时间:2023-06-27 20:38
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特征频率fT:随着工作频率的升高,三管的放大能力将会下降,对应于β=1时的频率fT叫作三管的特征频率。小功率三管的选用:主要用于小信号的放大,控制或振荡器。了解所用电路的工作频率,工程设计中选用三管的特征频率大于3倍的实际工作频率;反向击穿电压根据电路的电源电压决定;大功率三管的选用:集电大允许耗散功率是大功率重点考虑的问题,需要注意的是大功率三管有良好的散热。场效应管基础分类IDSS—饱和漏源电流。是指结型或耗尽型缘栅场效应管中,栅电压UGS=0时的漏源电流。UP—夹断电压。是指结型或耗尽型缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅电压。UT—开启电压。是指增强型缘栅场效管中,使漏源间刚导通时的栅电压。gM—跨导。是表示栅源电压UGS—对漏电流ID的控制能力,即漏电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM是衡量场效应管放大能力的重要参数。
基础类型及特性曲线NPN与PNP型两类三管性相反,体现在电流方向与电压正负的不同电流放大系数:对于三管的电流分配规律Ie=Ib+Ic,由于基电流Ib的变化,使集电电流Ic发生更大的变化,即基电流Ib的微小变化控制了集电电流较大,这就是三管的电流放大原理。即β=ΔIc/ΔIb。间反向电流:集电与基的反向饱和电流。限参数:反向击穿电压BVCEO,集电大允许电流ICM,集电大允许功率损耗PCM。
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电阻的作用:限流、降压、分压调试跟兼容设计地与地,电源与IC之间进行连接上、下拉电阻作用减弱外部电流对芯片产生的干扰增加或减少驱动电流(发光二管一般限流电阻为1-2K)1K电阻为限流电阻,由分压公式可知大采样电压:2k/(10k+2k)*12v=2V,当电池电压为11V时,IO口侦测到的电压为1.83V(2k/(10k+2k)*11v=1.83V.电容:(瓷介、电解)去耦电容、旁路电容、移向、谐振在电子电路中,去耦电容和旁路电容都是起到抗干扰的作用,电容所处的位置不同,称呼就不一样了。对于同一个电路来说,旁路(bypass)电容是把输入信号中的高频噪声作为滤除对象,把前级携带的高频杂波滤除,而去耦(decoupling)电容也称退耦电容,是把输出信号的干扰作为滤除对象。所谓退耦,即前后电路电流大小变化时,在供电电路中所形成的电流波动对电路的正常工作产生影响,换言之,退耦电路能够有效地消除电路之间的寄生耦合。