深圳贴片多层NTC热敏电阻B59754B120A70地址

　　指在规定温度下，热敏电阻器的零功率电阻随温度的变化率与它的零功率电阻之比，即:式中:-------温度为T时的零功率电阻温度系数

　　-------温度为T时的零功率电阻

　　T---------温度（以K表示）

　　B---------B值

　　拓展理解1:这个公式反应电阻随温度的变化率，电阻温度系数越大，说明热敏电阻对温度越敏感，能感知到热量的变化越明显【可与B值的拓展理解部分对比看，更容易理解】。

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　　δ: NTC 热敏电阻耗散系数，（ mW/ K ）。△ P : NTC 热敏电阻消耗的功率（ mW ）。

　　△ T : NTC 热敏电阻消耗功率△ P 时，电阻体相应的温度变化（ K ）。

　　热时间常数(τ)

　　在零功率条件下，当温度突变时，热敏电阻的温度变化了始未两个温度差的 63.2% 时所需的时间，热时间常数与 NTC 热敏电阻的热容量成正比，与其耗散系数成反比。

　　热敏电阻生产工艺的持续革新，是产品性能升级的核心支撑。传统生产工艺存在粉体均匀性不足、烧结稳定性差、产品参数离散度高的问题，难以适配高端场景需求。现阶段行业普遍采用精细化粉体研磨、1300℃高温恒温烧结、精准温控成型等新型工艺，大幅优化半导体陶瓷内部结构，提升材料致密性与参数一致性。同时，封装工艺持续迭代，防水、防尘、抗老化的封装方案逐步普及，提升器件的环境适配能力。工艺升级有效降低了产品阻值漂移率，将参数误差控制在极低范围，同时降低原材料损耗与生产成本，实现性能、品质与性价比的同步提升。

　　图中为四种常见的热敏电阻器的电阻－温度特性曲线。曲线 1是金属热敏电阻器。它的电阻值随温度上升而线性增加,电阻温度系数为+0.004K-1左右。曲线2是普通负温度系数热敏电阻器。它的电阻值随温度上升而呈指数减小，室温下的电阻温度系数为-0.02K-1～-0.06K-1。曲线3是临界热敏电阻器(CTR)。它的电阻值在某一特定温度附近随温度上升而急剧减小，变化量达到2～4个数量级。曲线4A和4B是钛酸钡系正温度系数热敏电阻器。前者为缓变型，室温下的电阻温度系数在+0.03～+0.08K-1之间；后者为开关型，在某一较小温度区间，电阻值急增几个数量级，电阻温度系数可达+0.10～+0.60K-1。 1871年西门子公司首先用纯铂制成测温用铂热敏电阻器，之后又出现纯铜和纯镍热敏电阻器。这类纯金属热敏电阻器有好的重复性和稳定性。早在1834年以前，M.法拉第就发现硫化银等半导体材料具有很大的负电阻温度系数。但直到20世纪30年代，才使用硫化银、二氧化铀等材料制成有实用价值的热敏电阻器。1940年美国J.A.贝克等人发现某些过渡金属氧化物经混合烧结后，成为具有很大负温度系数的半导体，而且性能相当稳定。1946年后生产的普通负温度系数热敏电阻器，大多数是用这种合成氧化物半导体制成的。1954年P.W.哈依曼等人发现添加微量稀土元素的钛酸钡陶瓷具有较理想的正电阻温度系数,以后在此基础上制成了热敏电阻器,并发展成系列品种，应用范围日益扩大。

　　限流热敏电阻的响应速度由其时间常数给出。即其电阻变化 63%（即 1 到 1/ε）所需的时间。例如，假设环境温度从 0°C 变化到 100°C，则 63% 的时间常数将是热敏电阻达到 63°C 电阻值所需的时间。NTC 热敏电阻提供了对不希望的高浪涌电流的保护，同时在连续运行期间其电阻保持可忽略的低值，为负载供电。这里的优势是它们能够有效地处理比标准固定限流电阻更高的浪涌电流，同时具有相同的功耗。