详细说明
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产品参数
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品牌:深圳市思迪凯电子有限公司
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范围:全国
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特点:现货供应
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产品:压敏电阻 薄膜电容 铝电解电容 吸收电容 热敏电阻 气体放电管 功率因数校正 电源线滤波器
- 产品优势
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产品特点:
深圳市思迪凯电子有限公司主要经营电子元器件,主要包括气体放电管、压敏电阻、热敏电阻(传感器)、薄膜电容、磁材、骨架,滤波器,阻容二三极管,连接器等保护器件。
最早在HID行业与客户有深度的合作和探究取得一定经验与积累,到后来的通讯、汽车、医疗等行业与客户建议了信任与发展,一直致力于被动保护器件的供应和方案。
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服务特点:
深圳市思迪凯电子有限公司坚持"以诚为本,以率效服务为信条",致力发展成为合格的电子元器件供应商。
在未来的日子里,我们公司期盼与客户在互利的基础上,携手共创双赢!
四川热敏电阻S20K275E2销售
排阻就是一排电阻的简称,是一种厚膜电阻网络,又多种一脚方式。排阻一般应用于数字电路、仪表电路和计算机电路中,例如仪表电路中的衰耗器。按用途不同分类
按照电阻体材料分类
按照电阻的材料分类解释:
1、碳膜电阻器
碳膜电阻器是将通过真空髙温热分解的结晶碳沉积在柱形或管形的陶瓷骨架上制成的。用控制碳膜的厚度和刻槽来控制电阻值。碳膜电阻器的外形和结构如图2所示。
“压敏电阻“是一种具有非线性伏安特性的电阻器件,主要用在电路承受过压时进行电压钳位和吸收多余的电流以保护敏感器件的。它的英文名称为“Voltage Dependent Resistor”简写为“VDR”, 或者叫做“Varistor”。压敏电阻器的电阻体材料是半导体,所以它是半导体电阻器品种的一种。现在大量使用的“氧化锌”(ZnO)压敏电阻器,它的主体材料有二价元素锌(Zn)和六价元素氧(O)所构成。所以从材料的角度来看,氧化锌压敏电阻器是一种“Ⅱ-Ⅵ族氧化物半导体”。据了解在中国台湾,压敏电阻器称为“突波吸收器”,有时也称它为“电冲击(浪涌)抑制器(吸收器)”。
AC 380V电源浪涌保护方案方案优点:用于满足380V交流电源接口的浪涌保护,根据电源所处环境选择不同级别的保护器件,满足IEC61000-4-5 4KV~8KV不同级别的测试。
上海雷卯电子科技有限公司,成立于2011年,品牌Leiditech,是国家高新技术企业。公司研发团队由留美博士和TI原开发经理组建,凭借技术精湛的研发队伍和经验的电磁兼容行业专家,主要提供防静电TVS/ESD以及相关EMC元器件(放电管TSS/GDT、稳压管ZENER、压敏电阻MOV、整流二管RECTIFIER、自恢复保险丝PPTC、场效应管MOSFET、电感)。
压敏电阻在电路中起什么作用压敏电阻在电路中起到保护和稳压的作用。以下是压敏电阻在电路中的主要作用:
1. 过压保护:压敏电阻是一种非线性电阻器件,其电阻值随着电压的变化而变化。当电路中的电压超过压敏电阻的额定电压时,压敏电阻会呈现低电阻状态,从而吸收和分散过电压,将过载电流限制在一个范围内。这样可以保护电路中的其他元件免受过电压造成的损坏。
2. 稳压:由于压敏电阻的电阻值随电压变化,可以在一定程度上提供稳压功能。当电路中的电压变化较大时,压敏电阻会自动调节其电阻值,以限制电压的峰值。这有助于保持电路中其他元件的工作稳定性,因电压波动引起的问题。
金属氧化膜电阻器金属氧化膜电阻器是用锡和锑等金属盐溶液(四氯化锡和三氧化锑)喷雾到约为550°C的加热炉内的炽热陶瓷骨架表面上,沉积后而制成的。这种电阻器的导电膜层均匀,膜与骨架基体结合牢固,有些性能优于金属膜电阻器。金属氧化膜电阻器外形如图4所示。普通金属氧化膜电阻器的外形与金属膜电阻器基本相同,其结构多为圆柱形并为轴向式引出线。
图4 金属氧化膜电阻器
碳膜电阻器是膜式电阻器(FilmResistors)中的一种。它是采用高温真空镀膜技术将碳紧密附在瓷棒表面形成碳膜,然后加适当接头切割,并在其表面涂上环氧树脂密封保护而成的。其表面常涂以绿保护漆。碳膜的厚度决定阻值的大小,通常用控制膜的厚度和刻槽来控制电阻器。1.性能稳定、阻值范围广、限电压较高;
2.表面涂为土黄面漆,小型化为土黄或粉红;
3.使用环境温度:-55℃~+125℃;
薄膜电容的金属化电极与安全防护机制
金属化薄膜电容采用真空蒸镀工艺在薄膜表面沉积一层厚度为20至100纳米的铝或锌铝合金电极层。这种电极结构使得电容器在承受过压击穿时,击穿点附近的电极层因焦耳热迅速气化并向外扩散,形成直径约1至2毫米的绝缘区域,即前述自愈过程。自愈过程中产生的气体(主要为碳氧化物和金属蒸气)需通过卷绕端面的间隙释放,因此薄膜电容内部通常留有轴向通道或采用多孔芯体设计。然而,多次自愈会导致容量逐步衰减,且每次自愈会消耗周围金属层,当衰减量超过初始容量的5%至10%时,电容器的高频损耗角正切将明显增加。为限制击穿能量,金属化电极的方阻设计需权衡:方阻过高则自愈能量低,但ESR增大;方阻过低则自愈不完全,可能引发热击穿。部分高压薄膜电容还采用串联分段式电极或熔丝结构,以隔离故障区域并防止整体失效。