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　　那么施加电压的变化如何改变其电阻？嗯，在于它的构成。由于它是由半导体材料制成的，因此当其两端的电压增加时，其电阻会下降。当电压过度增加时，其两端的电阻会减小。这种行为使它们成为敏感电路中过压保护的理想选择。现实生活中的压敏电阻如上图所示。您可能会将它们与电容器混淆。然而，压敏电阻和电容与其尺寸和设计没有共同之处。

　　压敏电阻用于抑制电压，而电容器不能执行这些功能。

　　反应速度快压敏电阻器有与其它的半导体元件类似的动作特性。因为压敏电阻器的传导发生快，延时只在纳秒级的范围内，所以能够满足实际需求。

　　3.过温条件下有稳定的电压

　　在超过崩溃电压的情况下，一旦环境温度超过正常的工作温度范围，齐纳二管的限制电压会随着环境温度的升高而升高，而压敏电阻器的限制电压在超过工作温度范围的情况下仍然几乎保持恒定。当压敏电阻器的漏电流随着元件本体温度的升高而增加时，压敏电阻器的限制电压不会随着温度的改变而改变。

　　气体放电管与压敏电阻的组合使用1.气体放电管和压敏电阻的比较。这两种元器件均属于非线性元器件，均可用于电压浪涌冲击比较敏感的电子电路中，和被保护电路并联使用做瞬态过压做防护，但是它们各有各的优缺点，如下表所示。

　　气体放电管和压敏电阻有什么区别？

　　> 压敏电阻是限压型元器件，放电管是开关型元器件；

　　> 响应时间都是纳秒级的,气体放电管比压敏电阻慢一点；

　　“压敏电阻”这个名称暗示了一种提供电阻器或变阻器等电阻的器件，但压敏电阻的实际功能与它们不同。首先，电阻的变化不能像在锅或变阻器中那样手动完成。其次，在正常工作电压下，压敏电阻提供的电阻高。由于该电压突然开始增加，主要是由于电路中产生的电压瞬变或外部源引起的电压瞬变，电阻开始迅速下降。

　　静电电阻与压敏电阻两端的电压之间的关系如下图所示。

　　压敏电阻 - 静态电阻VS电压

　　如图2-22所示为大功率驱动晶体管应用熔断电阻器得例子。电路工作正常时熔断电阻器RF起着限流电阻的作用。一旦负载电路发作过载或者短路，熔断电阻器RF就疾速熔断，起到维护晶体管得作用。电阻器的好坏可用指针式万用表或数字万用表的电阻挠检测。

　　检测时，首先依据电阻器阻值的大小，将指针式万用表（以下简称万用表）上的挡位旋钮转到恰当的“Q”挡位，如图2-23所示。

　　如果电器设备耐压水平Vo较低，而浪涌能量又比较大，则可选择压敏电压V1mA较低、片径较大的压敏电阻器；如果Vo较高，则可选择压敏电压V1mA较高的压敏电阻器，这样既可以保护电器设备，又能延长压敏电阻使用寿命。压敏电阻器主要应用于各种电子产品的过电压保护电路中，它有多种型号和规格。所选压敏电阻器的主要参数（包括标称电压、大连续工作电压、大限制电压、通流容量等）符合应用电路的要求，尤其是标称电压要准确。标称电压过高，压敏电阻器起不到过电压保护作用，标称电压过低，压敏电阻器容易误动作或被击穿。

　　薄膜电容的金属化电极与安全防护机制

　　金属化薄膜电容采用真空蒸镀工艺在薄膜表面沉积一层厚度为20至100纳米的铝或锌铝合金电极层。这种电极结构使得电容器在承受过压击穿时，击穿点附近的电极层因焦耳热迅速气化并向外扩散，形成直径约1至2毫米的绝缘区域，即前述自愈过程。自愈过程中产生的气体（主要为碳氧化物和金属蒸气）需通过卷绕端面的间隙释放，因此薄膜电容内部通常留有轴向通道或采用多孔芯体设计。然而，多次自愈会导致容量逐步衰减，且每次自愈会消耗周围金属层，当衰减量超过初始容量的5%至10%时，电容器的高频损耗角正切将明显增加。为限制击穿能量，金属化电极的方阻设计需权衡:方阻过高则自愈能量低，但ESR增大；方阻过低则自愈不完全，可能引发热击穿。部分高压薄膜电容还采用串联分段式电极或熔丝结构，以隔离故障区域并防止整体失效。