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　　更的表达式为:式中:RT:热敏电阻器在温度T时的零功率电阻值。

　　T:为对温度值，K；

　　A、B、C、D:为特定的常数。

　　热敏电阻的基本特性

　　热敏电阻的电阻－温度特性可近似地用式1表示。

　　(式1) R=Ro exp {B(I/T-I/To)}

　　: 温度T(K)时的电阻值

　　: 温度T0(K)时的电阻值

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　　然而，热敏电阻的工作电流应尽可能低，以减少自热效应。如果它们的工作电流过高，它们可能会比散热更快地加热，从而产生错误的结果。热敏电阻的特征在于其基电阻以及其“B”值。基电阻（例如 10kΩ）是热敏电阻在给定温度（通常为 25°C）下的电阻，因此定义为:R25。B 值是一个固定的材料常数，描述了电阻随温度（R/T）变化的曲线斜率。

　　我们还看到，除了用于测量外部温度外，热敏电阻还可以用于控制电流，这是由于流经它的电流引起的 I²R 热效应。通过将 NTC 热敏电阻与负载串联连接，可以有效地限制高浪涌电流。

　　热敏电阻生产工艺的持续革新，是产品性能升级的核心支撑。传统生产工艺存在粉体均匀性不足、烧结稳定性差、产品参数离散度高的问题，难以适配高端场景需求。现阶段行业普遍采用精细化粉体研磨、1300℃高温恒温烧结、精准温控成型等新型工艺，大幅优化半导体陶瓷内部结构，提升材料致密性与参数一致性。同时，封装工艺持续迭代，防水、防尘、抗老化的封装方案逐步普及，提升器件的环境适配能力。工艺升级有效降低了产品阻值漂移率，将参数误差控制在极低范围，同时降低原材料损耗与生产成本，实现性能、品质与性价比的同步提升。

　　31 8.1105 8.0124 7.914732 7.8249 7.7275 7.6305

　　33 7.5508 7.4541 7.3579

　　34 7.2878 7.1919 7.0965

　　35 7.0353 6.9403 6.8458

　　36 6.7929 6.6987 6.6052

　　37 6.5601 6.4669 6.3744

　　在额定环境温度下，可连续负载运行的功率大值, 也称“额定功率”。通常是以25°C为额定环境温度、由下式计算出的值:额定功率=散热系数×(高使用温度－25°C)

　　指在零负载状态下，当热敏电阻的环境温度发生急剧变化时，热敏电阻元件产生初温度与温度两者温度差的**63.2%**的温度变化所需的时间。热敏电阻的环境温度从T1变为T2时，经过时间t与热敏电阻的温度T之间存在以下关系: