福建电源线滤波器B72220S551K101批量销售

　　包装方式:盘装 2500只/盘SMB封装/4000V/7高等系列

　　型号:P0080SB P0300SB P1100SB P1300SB P1800SB P2300SB P2600SB P3100SB P3500SB P4200SB

　　封装形式:SMB/DO-214AA

　　浪涌吸收能力:10/700Us-4KV   10/1000uS-7高等

　　电阻的工艺与结构电阻的工艺种类繁多，可以根据阻值是否可以变化，分成两大类介绍:

　　固定电阻，顾名思义就是电阻值是定值，不可变。大多数时候，我们使用的电阻都是固定值的。可以根据封装的不同大致再分类。

　　2.1.1 轴向引线电阻(Axial Leaded Resistor)

　　轴线引线电阻通常都是圆柱形，两个外电是圆柱体两端的轴向导线，根据材料和工艺的不同还可以再分为多种。

　　压敏电阻与瞬态电压抑制（TVS）二极管均用于过压保护，但两者在响应特性和能量容量上存在显著差异。压敏电阻基于体效应吸收能量，其结电容较大（数百pF至数nF），适用于电源线和工频信号线路的浪涌防护，可承受数千安培的雷击浪涌电流，但其钳位电压较高（通常为压敏电压的1.5至2倍），且残压随电流变化呈非线性漂移。TVS二极管基于PN结雪崩击穿，响应时间小于1ns，钳位电压更平稳（动态电阻仅为0.1Ω级），但峰值脉冲功率受限于芯片面积，通常在数千瓦级，远低于压敏电阻的数十千瓦级。在实际选型中，压敏电阻因成本低廉且失效模式多为短路（可配合热脱扣装置）而广泛应用于交流输入侧；而TVS则用于数据接口和精密电路，因其寄生电容较小（可低至几pF）且残压精确。两种器件也可串联或并联组合使用，以兼顾能量承受能力和低钳位电压要求。

　　转折电压VBO小于被保护电路所允许的大瞬间峰值电压。3、半导体放电管处于导通状态(导通)时，所损耗的功率P应小于其额定功率Pcm，Pcm=KVT*IPP，其中K由短路电流的波形决定。对于指数波，方波，正弦波，三角波K值分别为1.00，1.4，2.2，2.8。

　　、反向击穿电压VBR大于被保护电路的大工作电压。如在POTS应用中，大振铃电压(150V)的峰值电压(150*1.41=212.2V)和直流偏压峰值(56.6V)之和为268.8V，所以应选择VBR大于268.8V的器件。又如在ISDN应用中，大DC电压(150V)和大信号电压(3V)之和为153V，所以应选择VBR大于153V的器件。

　　残压:压敏电阻在通过规定波形的大电流时其两端出现的高峰值电压。2、通流容量:按规定时间间隔与次数在压敏电阻上施加规定波形电流后，压敏电阻参考电压的变化率仍在规定范围内所能通过的大电流幅值。

　　3、泄漏电流:在参考电压的作用下，压敏电阻中流过的电流。

　　4、额定工作电压:允许长期连续施加在压敏电阻两端的工频电压的有效值。而压敏电阻在吸收暂态过电压能量后自身温度升高，在此电压下能正常冷却，不会发热损坏。

　　金属氧化物压敏电阻（MOV）:由于SiC压敏电阻具有一些严重的缺点，因此开发了另一种类型的压敏电阻金属氧化物压敏电阻。它提供了好的电压瞬变保护，现在流行。这里的主体由金属氧化物制成，主要是氧化锌颗粒。它们被压制成陶瓷块，含有90％的氧化锌颗粒和10％的其他金属氧化物，如钴，铋和锰。

　　然后将其夹在两个金属板之间。10％的钴铋和锰的金属氧化物充当氧化锌颗粒的粘合剂，使其在两个金属板之间保持完整。连接端子或引线连接到两个金属板。