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　　碳膜电阻碳氢化合物在高温和真空中分解，沉积在瓷棒或者瓷管上，形成一层结晶碳膜。改变碳膜厚度和长度可以得到不同的阻值。② 金属膜电阻在真空中加热合金，合金蒸发，使瓷棒表面形成一层导电金属膜。改变金属膜的厚度可以控制阻值。

　　③ 线绕电阻线绕电阻是用电阻丝绕在缘骨架上构成的。这种电阻分固定和可变两种。它的特点是工作稳定，耐热性能好。

　　④ 熔断电阻熔断电阻又称为保险丝电阻，是一种具有电阻和保险丝双重功能的元件。

　　过压保护压敏电阻可用在可控硅整流器的保护上;3kA的用在电器设备的浪涌吸收上;5kA的用在对雷击及电子设备的过电压吸收上;10kA的用在对雷击的保护上。按后者，常用综合波(发生器开路输出时产生1.2/50μs的电压波;短路输出时产生8/20μs的电流波;发生器的内阻为2Ω)来在线考核设备对抗雷击浪涌干扰的能力。在4kV试验时，保护器吸收的大电流可达2kA;对6kV的试验，吸收电流的大值为3kA。但在实际选择时，还应当适当加大所选过压保护压敏电阻的通流容量。

　　压敏电阻与TVS管的区别在于:压敏电阻能承受更大的浪涌电流，而且其体积越大所能承受的浪涌电流越大，大可达几十kA到上百kA;但压敏电阻的漏电流较大，非线性特性较差(动态电阻较大)，大电流时限制电压较高，且所能耐受的冲击电流的大小随冲击次数的增加而减小(降额特性)，较易老化。TVS管的非线性特性和稳压管一样，动态电阻较小，限制电压较低，且不易老化，使用寿命长，但通流能力较小(10/1000μs波峰值电流在几A至几百A之间)。再有就是反应速度不同，TVS管的反应速度快，为ps级，而压敏电阻反应速度稍慢，为ns级。压敏电阻是一种电压依赖性非线性电阻器，其核心功能基于氧化锌陶瓷晶界的势垒调制效应。在标称工作电压范围内，晶界处形成的双势垒层呈现高电阻状态，泄漏电流通常限制在微安级别。当施加电压超过阈值（即压敏电压）时，晶界势垒发生隧穿击穿，电阻率急剧下降，导通电流呈指数增长，从而将端电压钳位在预定水平。这一响应过程的动作时间约为纳秒级，远快于大多数瞬态过压事件的上升沿。压敏电阻的钳位特性由非线性系数α表征，典型值介于20至50之间，α值越高，钳位越陡峭。然而，多次承受大电流冲击会导致晶界微观结构退化，漏电流逐渐增大，最终使静态电容和压敏电压漂移。因此，在浪涌保护电路设计中，需结合峰值脉冲电流（如8/20μs波形）和能量耐受能力进行选型，并考虑其寄生电容对高速信号传输的影响。