广东薄膜电容B82450A2664A134批发

　　热敏电阻取值与桥堆的正向非重复浪涌电流IFSM有关。DR1:IFSM=60A，那冲击电流要小于60A才不至于损坏。以大输入电压265V/60A=4.4R，大于4R才能元件不被损坏。一般设计时会留有充足的余量。还要考虑电源的工作电流与NTC的残留电阻的阻值，比如热敏电阻选SCK10202，电路稳态大工作电流=0.5A，计算如下

　　小于热敏电阻SCK10202的功率0.24W，并有余量。但是NTC有一个缺点，就是再次上电时要等下，热敏电阻恢复需要时间（热时常数），马上开机时阻值很小就起不到限流保护的作用。

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　　E=K*IP*VC*T式中:IP、VC 见上，T 为脉冲宽度，K 为与波形有关的常数。对于 8/20μs 波和 10/1000μs 波，K=1.4;对于 2ms

　　方波，K=1。

　　⑥额定功率(大平均功率)Pm:指压敏电阻在室温下，连续承受多次冲击，且各次冲击之间间隔时间较短，因而有热积累效应的情况下，能够承受的大平均功率。尽管压敏电阻能承受很大的脉冲功率，但能承受的平均功率却很小。

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　　残压:压敏电阻在通过规定波形的大电流时其两端出现的高峰值电压。2、通流容量:按规定时间间隔与次数在压敏电阻上施加规定波形电流后，压敏电阻参考电压的变化率仍在规定范围内所能通过的大电流幅值。

　　3、泄漏电流:在参考电压的作用下，压敏电阻中流过的电流。

　　4、额定工作电压:允许长期连续施加在压敏电阻两端的工频电压的有效值。而压敏电阻在吸收暂态过电压能量后自身温度升高，在此电压下能正常冷却，不会发热损坏。

　　吸收电容，通常指用于缓冲或箝位电路中吸收尖峰电压和浪涌电流的特种电容器，常见结构为金属化聚丙烯薄膜卷绕而成，并配以低电感引出方式。其设计重点在于承受极高的脉冲电流变化率（dv/dt和di/dt），典型应用包括IGBT关断过压吸收、晶闸管换相保护和直流母线尖峰抑制。吸收电容的低ESL特性是关键，因为过压尖峰的能量谱分布在高频段（数百kHz至数MHz），任何串联电感都会显著削弱吸收效果。为此，吸收电容采用多层电极并联或轴向密绕结构，ESL可控制在10 nH以下。在能量耗散方面，吸收电容通过将浪涌能量暂时存储为电场能，再通过回路电阻缓慢释放，从而避免瞬时功率集中在开关器件上。电容器的温升主要由介质损耗和电极电阻产生的焦耳热决定，因此需要选用低损耗因子（通常tanδ < 0.001）的聚丙烯介质，并确保在额定脉冲电流下温升不超过15°C。吸收电容的容值选取依据回路寄生电感和关断电流变化率，一般容值范围在0.1μF至10μF之间。