青海吸收电容B82450A2664A134现货供应

　　气体放电管由相互隔开的一对冷阴板组成，该冷阴板封装在充有一定惰性气体（Ar）的玻璃管或瓷管内。为了提高放电管的触发概率，在放电管内还有助触发剂。这种充气式放电管有二型的，也有三型的。气体放电管可在直流和交流条件下使用，浪拓电子的GDT具有响应快，电压等级高的特点，全系列都通过了认。半导体放电管（TSS，Thyristor Surge Suppressor）与TVS管相同，也是利用半导体工艺制成的限压保护器件，但其工作原理与气体放电管类似，当TSS管两端的过电压超过TSS管的击穿电压时，TSS管将把过电压钳位到比击穿电压更低的接近0V的水平上，之后TSS管持续这种短路状态，直到流过TSS管的过电流降到临界值以下后，TSS恢复开路状态。TSS管是利用半导体工艺制成的保护器件，主要用于信号电路的防雷保护。

　　过电压保护过电压发生时，压敏电阻会被击穿，呈现短路状态，使两端电压钳位于较低水平。同时，短路引起的过流会烧毁前保险管或迫使空气开关跳闸，从而强制切断电源。

　　总的来说，压敏电阻相当于一个可变电阻，并联于电路中。电路正常使用时，压敏电阻阻抗高，漏电流小，可视为开路，对电路影响不大。但当高突波电压到来时，压敏电阻的电阻值瞬间下降(其电阻值可从M开始Ω(兆欧)级变为mΩ(毫欧)级)使其流过大电流，并将过电压位于一定值。由于压敏电阻的突波承载能力取决于其物理尺寸，因此有可能获得不同的浪涌电流值。

　　压敏电阻与瞬态电压抑制（TVS）二极管均用于过压保护，但两者在响应特性和能量容量上存在显著差异。压敏电阻基于体效应吸收能量，其结电容较大（数百pF至数nF），适用于电源线和工频信号线路的浪涌防护，可承受数千安培的雷击浪涌电流，但其钳位电压较高（通常为压敏电压的1.5至2倍），且残压随电流变化呈非线性漂移。TVS二极管基于PN结雪崩击穿，响应时间小于1ns，钳位电压更平稳（动态电阻仅为0.1Ω级），但峰值脉冲功率受限于芯片面积，通常在数千瓦级，远低于压敏电阻的数十千瓦级。在实际选型中，压敏电阻因成本低廉且失效模式多为短路（可配合热脱扣装置）而广泛应用于交流输入侧；而TVS则用于数据接口和精密电路，因其寄生电容较小（可低至几pF）且残压精确。两种器件也可串联或并联组合使用，以兼顾能量承受能力和低钳位电压要求。

　　压敏电阻的工作原理为了解释压敏电阻的工作原理，让我们使用下图所示的VI特性来地理解它。

　　压敏电阻电压 - 电流特性

　　压敏电阻的VI特性曲线类似于齐纳二管。它本质上是双向的，因为我们看到它在和第三象限都运行。此功能使其适合将其连接到具有AC或DC电源的电路中。对于AC源，它很容易，因为它可以在正弦波的任一方向或性中起作用。

　　图中所示的钳位电压或压敏电阻电压定义为通过压敏电阻的电流低的电压，大多数为几毫安量级。该电流通常称为漏电流。当钳位电压施加在压敏电阻上时，这个漏电流值是由压敏电阻的高电阻引起的。

　　压敏电阻通常都是金属氧化物可变电阻，即Metal Oxide Varistor(MOV)，其电阻材料是氧化锌颗粒和陶瓷颗粒混合后一起烧结成型。MOV的特性就是当电压超过一定阈值的时候，电阻迅速下降，可以通过大电流，因此可以用于浪涌防护和过压保护。将氧化锌陶瓷采用和MLCC类似的工艺制作成多层型压敏电阻，即 MLV。MLV封装较小，通常是片状的，额定电压和通流能力都比MOV小很多，适用于低压直流场合。

　　压敏电阻可以并联，目的是获得更大的通流量，或者在冲击电流峰值一定的条件下减小电阻体中的电流密度，以降低限制电压。当要求获得大的通流量［

　　例如8/20，（50～200）KA

　　］，且压敏电压又比较低（例如低于200V）时，电阻体的直径

　　厚度比太大，在制造技术上有困难，且随着电阻体直径的加大，电阻体的微观均匀性变差，因此通流量不可能随电阻体面积成比例地增大。这时用较小直径的电阻片并联可能是个更合理的方法。