天津功率因数校正B72210S0271K101经销商

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　　金属氧化物压敏电阻或碳化硅压敏电阻的特性可以用以下格式表示:I = 通过器件的电流 k = 元件

　　的常数 V = 施加的电压

　　通常，对于碳化硅，n的值在大约3-7之间，但对于氧化锌器件，该值可能在20-50的范围内，使特性更加清晰。

　　压敏电阻用于许多领域，通常用于许多区域的电涌保护，这些区域放置在要保护的线路上，或从线路向下对地。在正常情况下，它们消耗的电流很小，但是当浪涌来临时，电压会上升到膝盖或钳位电压以上，它们会消耗电流，从而消散浪涌并保护设备。实际浪涌部分被压敏电阻吸收，部分被传导。

　　正如章所说的，“纸上得来终觉浅，知此事要躬行”，有了一定的理论支撑后就要多应用，综合各种器件的特性，扬长避短，合理设计到电路中，反复调试。，祝大家EMC测试顺利pass～常规方法(推荐使用)

　　“压敏电阻/放电管”选择开关置低位（放电管） “单次/连续”开关置高位（单次），按上面2.2.1所述接入被试品。

　　按下“高压启停”键，开启高压后按下“测试键”，测试电压以100V/S的速率从电压预置值开始上升，至绿指示灯点亮后。此时显示屏显示电压为被测放电管的点火电压。

　　压敏电阻的主要应用是保护电路免受电压瞬变的影响。压敏电阻的半导体本体也有助于它。与齐纳二管一样，压敏电阻的VI特性曲线显示特定阈值电压后的电流浪涌。该阈值电压称为额定电压或钳位电压。当压敏电阻上施加的电压远低于或等于钳位电压时，压敏电阻具有高电阻，因此称其处于缘状态。然而，当该电压增加超过钳位电压时，由于半导体本体中的雪崩击穿，电阻下降。在这种情况下，压敏电阻据说处于导通状态。

　　电路保护元器件技术含量高，且行业存在着很高的安规认壁垒和市场壁垒，进入门槛高;经过100多年的发展，Bussmann、Littelfuse、Mersen(GCL)、TEConnectivity等厂商控制着大多数的市场份额，行业集中度较高，因此行业整体毛利率较高。

　　随着生产工艺技术的改进和以发行人为代表的发展生产商进入这一领域，近年来电路保护元器件的平均价格较为平稳，预测未来将呈现下降趋势。

　　当上升电压超过额定电压或钳位电压（250V）时，压敏电阻就会变得导电性强，大约1mA的电流开始流过压敏电阻。当压敏电阻两端的瞬态电压等于或大于钳位电压时，压敏电阻的电阻会变小，由于半导体材料的雪崩效应，压敏电阻会变成导体。• MOV电容

　　正如我们已经认识到的那样，MOV 由两个电构成，它作为介电介质运行，并具有电容器效应，如果不考虑，可能会影响系统的功能。根据与其厚度成反比的区域，每个半导体压敏电阻都将有一个电容值。

　　薄膜电容的金属化电极与安全防护机制

　　金属化薄膜电容采用真空蒸镀工艺在薄膜表面沉积一层厚度为20至100纳米的铝或锌铝合金电极层。这种电极结构使得电容器在承受过压击穿时，击穿点附近的电极层因焦耳热迅速气化并向外扩散，形成直径约1至2毫米的绝缘区域，即前述自愈过程。自愈过程中产生的气体（主要为碳氧化物和金属蒸气）需通过卷绕端面的间隙释放，因此薄膜电容内部通常留有轴向通道或采用多孔芯体设计。然而，多次自愈会导致容量逐步衰减，且每次自愈会消耗周围金属层，当衰减量超过初始容量的5%至10%时，电容器的高频损耗角正切将明显增加。为限制击穿能量，金属化电极的方阻设计需权衡:方阻过高则自愈能量低，但ESR增大；方阻过低则自愈不完全，可能引发热击穿。部分高压薄膜电容还采用串联分段式电极或熔丝结构，以隔离故障区域并防止整体失效。