新疆吸收电容S20K275E2供应商

　　固体放电管是一种过压保护器件，是利用晶闸管原理制成的，依靠PN结的击穿电流触发器件导通放电，可以流过很大的浪涌电流或脉冲电流。其击穿电压的范围，构成了过压保护的范围。固体放电管使用时可直接跨接在被保护电路两端，必要情况下可以串接电阻或熔断器，这样就可以构成完备的过压、过流保护电路。TVS(Transient Voltage Suppressor), 雪崩击穿二管类，理论响应时间为千分之一纳秒量级，大电压只有保护电压的1.3倍，容量大，是高频限压理想器件。实测伏安特性理想，实用保护效果很好。就是低压器件结电容嫌大了些，5V的有1000-2000pF，10V的只有100-200pF。

　　然而，通过耗散从瞬态脉冲吸收的能量可以避免这种加热。另一种重要类型的压敏电阻存在于市场上，称为SMD或表面贴装器件压敏电阻。

　　表面贴装器件压敏电阻

　　它们与其他压敏电阻一样，主要用于保护电路。主体可以是金属氧化物或碳化硅。这些压敏电阻和传统压敏电阻之间的主要区别在于它尺寸小，采用表面贴装技术制造。这意味着这些器件可以很容易地连接到PCB中，因为它们的引线尺寸较小，或者它们的引脚焊接到电路板表面的焊盘上，从而无需PCB中的孔。

　　U1mA 表示。压敏电压的误差范围一般是±10%。在试验和实际使用中，通常把压敏电压从正常值下降 10%作为压敏电阻失效的判据。②大持续工作电压 UC:指压敏电阻能长期承受的大交流电压(有效值)Uac 或大直流电压 Udc。一般

　　Uac≈0.64U1mA，Udc≈0.83U1mA。

　　③通流量(大冲击电流)IP:指压敏电阻能够承受的 8/20μs 波的大冲击电流峰值。“能够承受”的含义是，冲击后压敏电压的变化率不大于

　　指的是压敏电阻器本身固有的电容容量，一般测试条件是振荡器频率为1KHz或1MHz，振荡器电压1Vrms。现在一般SPEC不给出压敏电阻的漏电流参数，漏电流又称为等待电流，指压敏电阻器在规定的温度和大直流电压下，流过压敏电阻器的电流。

　　压敏电阻的选型，我总结了如下几点。

　　在交流回路中，V1mA(min)≥(2.2~2.5)*Vac，Vac是被保护交流电路工作电压有效值。在直流回路中，V1mA(min)≥(1.6~2)*Vdc，Vdc是直流电路大工作电压。如果被保护电路工作电压或耐压较低，而浪涌能量又比较大，则可选择压敏电压较低、片径较大的压敏电阻器。如果工作电压或耐压较高，可选择压敏电压较高的压敏电阻器，既保护了电路，又能延长压敏电阻寿命。压敏电阻的电容量一般是几十到几百pF，不能用在高频信号中，一般用在低频信号，直流电源和交流电源。

　　+bKzzB'预计2002年压敏电阻器的市场增长率为13％，其中，多层片式压敏电阻器市场增长率为20％～30％，径向引线产品增长率为5％～10％。需求主要来自于电源设备，包括DC电源设备、不间断电源，以及新的消费类电子产品，如数字音频/视频设备、视频，数字相机等。片式压敏电阻器已占美国市场销售总额的40％～45％。（0402）尺寸的片式压敏电阻器。0201尺寸的产品尚未上市。AVX公司的0402片式压敏电阻器有5.6V、9V、14V和18V等几种电压范围的产品，它们的额定功率为50mJ,典型电容值范围从90pF(18V的产品)～360pF(5.6V的产品)。MaidaDevelopment公司也生产片式系列的压敏电阻器，但目前只推出了非标准尺寸的产品，1210、1206、0805、0603和0402的产品正在试产。

　　10D封装系列，压敏电阻压敏电压:18~1100v承受浪涌电流:500~3500A

　　芯片直径:10mm

　　响应时间＜25ns

　　压敏电阻10D封装包含型号有:10D180L、10D220K、10D270K、10D330K、10D390K、10D470K、10D560K、10D680K、10D820K、10D101K、10D121K、10D151K、10D181K、10D201K、10D221K、10D241K、10D271K、10D301K、10D331K、10D361K、10D391K、10D431K、10D471K、10D511K、10D561K、10D621K、10D681K、10D751K、10D781K、10D821K、10D911K、10D102K、10D112K。

　　薄膜电容的金属化电极与安全防护机制

　　金属化薄膜电容采用真空蒸镀工艺在薄膜表面沉积一层厚度为20至100纳米的铝或锌铝合金电极层。这种电极结构使得电容器在承受过压击穿时，击穿点附近的电极层因焦耳热迅速气化并向外扩散，形成直径约1至2毫米的绝缘区域，即前述自愈过程。自愈过程中产生的气体（主要为碳氧化物和金属蒸气）需通过卷绕端面的间隙释放，因此薄膜电容内部通常留有轴向通道或采用多孔芯体设计。然而，多次自愈会导致容量逐步衰减，且每次自愈会消耗周围金属层，当衰减量超过初始容量的5%至10%时，电容器的高频损耗角正切将明显增加。为限制击穿能量，金属化电极的方阻设计需权衡:方阻过高则自愈能量低，但ESR增大；方阻过低则自愈不完全，可能引发热击穿。部分高压薄膜电容还采用串联分段式电极或熔丝结构，以隔离故障区域并防止整体失效。