安徽吸收电容S20K250E2供应商

名称:安徽吸收电容S20K250E2供应商

供应商:深圳市思迪凯电子有限公司

价格:面议

最小起订量:1/台

地址:深圳市宝安区西乡宝源大道广福商务大厦12楼

手机:15989307834

联系人:邓小姐 (请说在中科商务网上看到)

产品编号:229670504

更新时间:2026-07-24

发布者IP:116.30.139.244

详细说明
产品参数
品牌:深圳市思迪凯电子有限公司
范围:全国
特点:现货供应
产品:压敏电阻 薄膜电容 铝电解电容 吸收电容 热敏电阻 气体放电管 功率因数校正 电源线滤波器
产品优势
产品特点: 深圳市思迪凯电子有限公司主要经营电子元器件,主要包括气体放电管、压敏电阻、热敏电阻(传感器)、薄膜电容、磁材、骨架,滤波器,阻容二三极管,连接器等保护器件。   最早在HID行业与客户有深度的合作和探究取得一定经验与积累,到后来的通讯、汽车、医疗等行业与客户建议了信任与发展,一直致力于被动保护器件的供应和方案。
服务特点: 深圳市思迪凯电子有限公司坚持"以诚为本,以率效服务为信条",致力发展成为合格的电子元器件供应商。   在未来的日子里,我们公司期盼与客户在互利的基础上,携手共创双赢!

  安徽吸收电容S20K250E2供应商

  压敏电阻的符号压敏电阻是由半导体材料的非线性伏安特性制成的电压敏感元件,简称MOV。它是一种对电压敏感的非线性过电压保护半导体元件。电路中使用文字符号MOV表示压敏电阻符号,如下图所示:

  四、压敏电阻的作用

  压敏电阻具有好的耐雷击、防雷作用,当遇到雷击的时候,会有大电流通过,压敏电阻会击穿短路,并烧断保险管,从而达到保护电路的目的。

  半导体放电管,TSS(Thyristor Surge Suppressors),也称浪涌抑制晶闸管,是一种基于可控硅原理和结构的两端过电压保护器件,用于在危险瞬态条件下保护电路设备。一般并联在电路中应用,在正常工作的情况下TSS处于截止状态,表现出很高的断态阻抗,泄漏电流很小,所以对其所保护的电路不会产生影响。当其两端施加超过转折电压 (VS) 时,TSS将迅速导通而呈现短路状态,从而泄放大电流以保护其他设备。当流过器件的电流中断或下降到 TSS 的维持电流 (IH) 以下的时候,TSS 复位并返回到高阻断状态。

  半导体放电管也称固态放电管,是根据可控硅原理采用离子注入技术生产的一种二端保护元器件,具有导通、响应、浪涌吸收能力强、双向对称以及性高等特性。但由于其浪涌吸收能力强,所以有时候会在无源电路中代替TVS管使用。这类放电管一般不能直接用于有源的电路中,可添加限流元件,让它的续流小于维持电流,有贴装式、直插式以及轴向引线式三种。2.GDT陶瓷气体放电管是防雷保护设备中应用比较广泛的电子元保护器件了,因为管内有一定种类和一定浓度的惰性气体,当瞬变电压发生时,管内的气体就是会电离,变成短路状态,使得气体放电管两端的电压迅速降到低值,从而转移瞬变能量,保护电路,因此它也被称为避雷管。不管是交流还是直流电源,或者是各种信号电路的防雷,都可以用它,主要特点有放电电流大,间电容小,缘电阻高,击穿电压的分散性比较大,响应速度比较慢。它的封装形式有贴装式(分两级管和三级管)、直插式(分两级管和三级管)两种封装形式。

  那么施加电压的变化如何改变其电阻?嗯,在于它的构成。由于它是由半导体材料制成的,因此当其两端的电压增加时,其电阻会下降。当电压过度增加时,其两端的电阻会减小。这种行为使它们成为敏感电路中过压保护的理想选择。现实生活中的压敏电阻如上图所示。您可能会将它们与电容器混淆。然而,压敏电阻和电容与其尺寸和设计没有共同之处。

  压敏电阻用于抑制电压,而电容器不能执行这些功能。

  20D封装系列,压敏电阻压敏电压:18~1800V承受浪涌电流:2000~10000

  芯片直径:20mm

  响应时间<25ns

  压敏电阻20D封装包含型号有:20D180L、20D220K、20D270K、20D330K、20D390K、20D470K、20D560K、20D680K、20D820K、20D101K、20D121K、20D151K、20D181K、20D201K、20D221K、20D241K、20D271K、20D301K、20D331K、20D361K、20D391K、20D431K、20D471K、20D511K、20D561K、20D621K、20D681K、20D751K、20D781K、20D821K、20D911K、20D102K、20D112K、20D152K、20D182K。

  压敏电阻的型号及选用方法:SJ1152-82部颁标准中压敏电阻器的型号命名分为四部分,各部分的含义见表1。

  表1 压敏电阻器的型号命名及含义

  第二部分:类别

  第三部分:用途或特征

  第四部分:序号

  用数字表示序号,有的在序号的后面还标有标称电压通流容量或电阻体直径、标称电压、电压误差等。

  部分用字母 “M” 表示主称为敏感电阻器。

  薄膜电容的金属化电极与安全防护机制

  金属化薄膜电容采用真空蒸镀工艺在薄膜表面沉积一层厚度为20至100纳米的铝或锌铝合金电极层。这种电极结构使得电容器在承受过压击穿时,击穿点附近的电极层因焦耳热迅速气化并向外扩散,形成直径约1至2毫米的绝缘区域,即前述自愈过程。自愈过程中产生的气体(主要为碳氧化物和金属蒸气)需通过卷绕端面的间隙释放,因此薄膜电容内部通常留有轴向通道或采用多孔芯体设计。然而,多次自愈会导致容量逐步衰减,且每次自愈会消耗周围金属层,当衰减量超过初始容量的5%至10%时,电容器的高频损耗角正切将明显增加。为限制击穿能量,金属化电极的方阻设计需权衡:方阻过高则自愈能量低,但ESR增大;方阻过低则自愈不完全,可能引发热击穿。部分高压薄膜电容还采用串联分段式电极或熔丝结构,以隔离故障区域并防止整体失效。