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　　[0029]图2B为本实用新型实施例提供的放电管的第二种放电电弧形态示意图；[0030]图3A为

　　放电管呢是一种用于设备输入端（例如:交直流电源以及各类信号电路等）的保护元器件，一般常见的放电管有TSS半导体放电管、GDT陶瓷气体放电管以及SPG玻璃放电管三类。

　　TSS半导体放电管、GDT陶瓷气体放电管以及SPG玻璃放电管分别有什么优势？

　　压敏电阻的响应时间为ns级，比空气放电管快，比TVS管稍慢一些，一般情况下用于电子电路的过电压保护其响应速度可以满足要求。压敏电阻的结电容一般在几百到几千pF的数量级范围，很多情况下不宜直接应用在高频信号线路的保护中，应用在交流电路的保护中时，因为其结电容较大会增加漏电流，在设计防护电路时需要充分考虑。压敏电阻的通流容量较大，但比气体放电管小。压敏电阻器与被保护的电器设备或元器件并联使用。当电路中出现雷电过电压或瞬态操作过电压Vs时，压敏电阻器和被保护的设备及元器件同时承受Vs，由于压敏电阻器响应速度很快，它以纳秒级时间迅速呈现优良非线性导电特性(见图3中击穿区)，此时压敏电阻器两端电压迅速下降，远远小于Vs，这样被保护的设备及元器件上实际承受的电压就远低于过电压Vs，从而使设备及元器件免遭过电压的冲击。

　　压敏电阻与瞬态电压抑制（TVS）二极管均用于过压保护，但两者在响应特性和能量容量上存在显著差异。压敏电阻基于体效应吸收能量，其结电容较大（数百pF至数nF），适用于电源线和工频信号线路的浪涌防护，可承受数千安培的雷击浪涌电流，但其钳位电压较高（通常为压敏电压的1.5至2倍），且残压随电流变化呈非线性漂移。TVS二极管基于PN结雪崩击穿，响应时间小于1ns，钳位电压更平稳（动态电阻仅为0.1Ω级），但峰值脉冲功率受限于芯片面积，通常在数千瓦级，远低于压敏电阻的数十千瓦级。在实际选型中，压敏电阻因成本低廉且失效模式多为短路（可配合热脱扣装置）而广泛应用于交流输入侧；而TVS则用于数据接口和精密电路，因其寄生电容较小（可低至几pF）且残压精确。两种器件也可串联或并联组合使用，以兼顾能量承受能力和低钳位电压要求。

　　金属氧化物压敏电阻（MOV）:由于SiC压敏电阻具有一些严重的缺点，因此开发了另一种类型的压敏电阻金属氧化物压敏电阻。它提供了好的电压瞬变保护，现在流行。这里的主体由金属氧化物制成，主要是氧化锌颗粒。它们被压制成陶瓷块，含有90％的氧化锌颗粒和10％的其他金属氧化物，如钴，铋和锰。

　　然后将其夹在两个金属板之间。10％的钴铋和锰的金属氧化物充当氧化锌颗粒的粘合剂，使其在两个金属板之间保持完整。连接端子或引线连接到两个金属板。

　　MOV（Metal Oxide Varistors）即金属氧化物压敏电阻，以氧化锌为主体，掺杂多种金 属氧化物，采用典型的电子陶瓷工艺制成的多晶半导体陶瓷元器件。 其电阻随电压呈指数规 律变化，具有如下图所示对称的I-V特性。 其用来稳定和钳制电压，限制异常过电压，并泄放及吸收由此产生的能量。图1 压敏电阻的I-V特性

　　一、主要参数:

　　1） 压敏电压

　　封装形式:根据实际的应用需求选择压敏电阻的封装形式，如贴片式、插件式等。

　　6、其他参数:

　　如漏电流、缘电阻、静态电容等参数也需根据具体需求进行考虑。

　　压敏电阻主要参数详解

　　1、标称电压（V）:

　　指通过规定持续时间的脉冲电流(一般为1mA，持续时间一般小于400mS)时，压敏电阻器两端的电压值。