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　　选择测量挡位时应尽量使显现屏显现较多的有效数字，普通测量200Ω以下电阻器可选“200Ω”挡，200～1999Ω电阻器可选“2kΩ”挡，2～19. 99kΩ,电阻器可选“20kQ”挡，20～199. 9kΩ电阻器可选“200kΩ”挡，200～1999kΩ电阻器可选“2MΩ”挡，2～19. 99MQ电阻器可选“20MΩ”挡，20～199. 9MΩ电阻器可选“200MΩ”挡。200MΩ以上电阻器因已超出高量程而无法丈量（以DT890B数字万用表为例）。   测量时，两表笔（不分正、负）分别接被测电阻器的两端，LCD显现屏即显现出被测电阻R的阻值，如图2-27所示。如显现“000”（短路）、仅高位显现“1”（断路）、或显现值与电阻器上标示值相差很大，则阐明该电阻器已损坏。

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　　≥(2.2～2.5)Uac，式中Uac为回路中的交流工作电压的有效值。上述取值原则主要是为了压敏电阻在电源电路中应用时，有适当的裕度。对直流而言在直流回路中，应当有:min(U1mA)≥(1.6～2)Udc，式中Udc为回路中的直流额定工作电压。在交流回路中，应当有:min(U1mA)

　　≥(2.2～2.5)Uac，式中Uac为回路中的交流工作电压的有效值。上述取值原则主要是为了压敏电阻在电源电路中应用时，有适当的裕度。在信号回路中时，应当有:min(U1mA)≥(1.2～1.5)Umax，式中Umax为信号回路的峰值电压。压敏电阻的通流容量应根据防雷电路的设计来定。一般而言，压敏电阻的通流容量要大于等于防雷电路设计的通流容量。

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　　直流击穿电压(DC Spark-over Voltage):在放电管两端施加上升的电压时（手册上会有电压波形解释），使气体放电管发生击穿的电压值；2、冲击击穿电压(Impulse Spark-over Voltage):在放电管间施加上升速率很快的电压时（手册上有两种波形:100V/S和1kV/S），使放电管发生击穿的电压；

　　3、耐冲击放电电流(Impulse Discharge Crurrent):在规定的放电次数内，流经放电管放电间隙的冲击电流峰值，参考手册使用寿命(Service life)；

　　吸收电容，通常指用于缓冲或箝位电路中吸收尖峰电压和浪涌电流的特种电容器，常见结构为金属化聚丙烯薄膜卷绕而成，并配以低电感引出方式。其设计重点在于承受极高的脉冲电流变化率（dv/dt和di/dt），典型应用包括IGBT关断过压吸收、晶闸管换相保护和直流母线尖峰抑制。吸收电容的低ESL特性是关键，因为过压尖峰的能量谱分布在高频段（数百kHz至数MHz），任何串联电感都会显著削弱吸收效果。为此，吸收电容采用多层电极并联或轴向密绕结构，ESL可控制在10 nH以下。在能量耗散方面，吸收电容通过将浪涌能量暂时存储为电场能，再通过回路电阻缓慢释放，从而避免瞬时功率集中在开关器件上。电容器的温升主要由介质损耗和电极电阻产生的焦耳热决定，因此需要选用低损耗因子（通常tanδ < 0.001）的聚丙烯介质，并确保在额定脉冲电流下温升不超过15°C。吸收电容的容值选取依据回路寄生电感和关断电流变化率，一般容值范围在0.1μF至10μF之间。