深圳粉体水平/压电碳粉传感器B57236S100M联系电话

　　因此具有薄、小和高耐热性（高 250℃）等特性的SEMITEC 薄膜热敏电阻，将作为新一代功率半导体的传感器，开始备受瞩目。用于功率半导体的薄膜热敏电阻（例）

　　未来SEMITEC将继续致力于推进薄膜热敏电阻的小型化和高精度化，从而实现对微小空间和微小物体的高速、高精度的温度测量。

　　此外，我们将灵活发挥薄膜热敏电阻的优势，将各种各样的技术和新材料进行结合，不断挑战开发SEMITEC独有的新型传感器。

　　NTC热敏电阻NTC（Negative Temperature Coeff1Cient）是指随温度上升电阻呈指数关系减小、具有负温度系数的热敏电阻现象和材料．该材料是利用锰、铜、硅、鈷、铁、镍、锌等两种或两种以上的金属氧化物进行充分混合、成型、烧结等工艺而成的半导体陶瓷，可制成具有负温度系数（NTC）的热敏电阻．其电阻率和材料常数随材料成分比例、烧结气氛、烧结温度和结构状态不同而变化．现在还出现了以碳化硅、硒化锡、氮化钽等为代表的非氧化物系NTC热敏电阻材料．

　　R25（欧姆） （K）MF52-102□3950 R25:1K B（25 / 50C）:3950k

　　MF52-202□3470 R25:2K B（25 / 50C）:3470k

　　MF52-202□3550 R25:2K B（25/50℃）:3550k

　　MF52-202□3950 R25:2K B（25/50℃）:3950k

　　热敏电阻是基于半导体陶瓷材料制备的温度敏感电子元件，主流产品分为负温度系数NTC与正温度系数PTC两大类型，其中NTC热敏电阻市场应用占比最高。常规NTC热敏电阻主要采用锰、镍、钴、铁等过渡金属复合氧化物为核心原料，通过配料、研磨、成型、高温烧结及电极封装等多道工序制成多晶半导体结构。传统配方依赖钴系材料，存在成本偏高、环保性不足的问题，现阶段行业逐步推广无钴、无铅环保粉体配方，适配RoHS 3.0、REACH等国际环保标准。新型材料工艺可将热敏电阻工作温域拓展至-60℃至300℃，同时有效控制阻值漂移率，提升器件在高低温交替环境下的结构稳定性与参数一致性，适配高端工业及新能源设备的使用要求。

　　增强。产生漂移运动的少子通过空间电荷区时，在很强的电场作用下获得的动能，与晶体原子发生碰撞，从而共价键的束缚，形成更多的自由电子和空穴，这种现象叫“碰撞电离”新产生的与原来的一样，在强的电场下获得能量，继续碰撞电离，再产生电子空穴对，此为载流子的“倍增效应”。当反向电压增大到某一数值后，载流子的倍增情况就像陡峻的积雪山坡上发生雪崩一样，载流子增加的多而快，使反向电流急剧增大，于是PN结被击穿，称为“雪崩击穿”。2、另一个原因:在较高的反向电压下，PN结空间电荷区存在一个很强的电场，它能破坏共价键的束缚，讲电子分离出来产生电子空穴对，在电场作用下，电子移向N区，空穴移向P区，从而形成较大反向电流，这种击穿叫“齐纳击穿”。发生此击穿所需电场约为2*105V/Cm，这只有在杂质浓度高的PN结才能达到，因为杂质浓度大，空间电荷区内电荷密度也大，因而空间电荷区很窄，电场强度就可能很高。3、齐纳击穿的物理过程与雪崩击穿不同，一般二管掺杂浓度低，它在击穿中多数为雪崩击穿造成的，齐纳击穿多数出现在稳压管中。4、上述两种穿过程是可逆的，当加在PN结两端的反向电压降低后，PN结仍可以回复原来的状态，但它有一个前提条件，就是反向电流和反向电压的乘积不超过PN结容许的耗散功率，超过了就会因为热量散不出而

　　通常而言有三种过流过热保护的类型:1、电流过载（图3）:RL1为正常工作时的负载曲线，当负载阻值减少，如变压器线路短路，负载曲线由RL1变为RL2，超过B点， PTC热敏电阻器进入保护状态；

　　2、电压过载（图4）:电源电压增加，如220V电源线突然升到380V，负载曲线由RL1变为RL2，超过B点， PTC热敏电阻器进入保护状态；

　　3、温度过热（图5）:当环境温度升过一定限度，PTC热敏电阻器伏-安特性曲线由A-B-E变成A-B1-F，负载曲线RL超过B1点，PTC热敏电阻器进入保护状态；