SIC碳化硅器件参数测试仪

　　功能及主要参数:

　　适用碳化硅二极管、IGBT模块\MOS管等器件的时间参数测试。

　　品牌: 华科智源

　　名称: SIC动态参数测试仪

　　型号: HUSTEC-3000

　　用途: SIC器件，MOS管， IGBT测试

　　产品详情

　　功能及主要参数:

　　适用碳化硅二极管、IGBT模块\MOS管等器件的时间参数测试。

　　主要技术参数:

　　IGBT开关特性测试

　　开关时间测试条件

　　Ic:50A～1000A Vce:200V～2000V

　　Vgs:-10V～＋20V Rg:1R～100R可调(可选择4档及外接)

　　负载:感性负载阻性负载可切换

　　电感范围:100uH，200uH，500uH，1000uH

　　电阻范围:0.5R、1R、2R、4R

　　IGBT开关特性测试参数

　　开通延迟td(on): 20nS -10uS

　　上升时间tr: 20nS -10uS

　　开通能量Eon: 0.1-1000mJ

　　关断延迟时间td(off):20 nS -10uS

　　下降时间 tf: 20nS -10uS

　　关断能量Eoff:0.1-1000mJ

　　二极管反向恢复特性测试

　　FRD测试条件:正向电流IF:50A～1000A；反向电压 Vr:200V~2000V；-di/dt:100A/us～10000A/us ；负载:感性负载可选

　　电感范围:100uH，200uH，500uH，1000uH

　　FRD测试参数

　　反向恢复时间trr:20nS -2uS

　　反向恢复电荷Qc:10nC~10uC；

　　反向恢复电流Irm:50A~1000A

　　反向恢复损耗Erec:0.1mJ～1000mJ

　　产品优势

　　国内唯一能对二极管、IGBT模块、MOS管等器件的时间参数实施测试的设备。