主要用于存储程序中的变量。在单芯片单片机中（*1），常常用SRAM作为内部RAM。SRAM允许高速访问，内部结构太复杂，很难实现高密度集成，不适合用作大容量内存。除SRAM外，DRAM也是常见的RAM。DRAM的结构比较容易实现高密度集成，比SRAM的容量大。将高速逻辑电路和DRAM安装于同一个晶片上较为困难，一般在单芯片单片机中很少使用，基本上都是用作外围电路。（*1）单芯片单片机是指:将CPU，ROM，RAM，振荡电路，定时器和串行I/F等集成于一个LSI的微处理器。

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　　 下面简单介绍一下用分离电子元器件组成的延时继电器的工作原理。它工作使用一微型变压器降压，初级输入电源为AC交流220Ⅴ，次级有二组电源AC18ⅤAC12Ⅴ，AC18V经桥式整流二极管（1N4001×4），C1（30uf/32V）滤波后，为kA微型继电器、复合三极管ⅤT1ⅤT2（9012）提供直流DC工作电源。另一组AC交流12Ⅴ电经vD1半波整流，C2电解电容滤波，供给调整充电时间专用可变电位器RP1，C3为一独石电容，其工作特性较好而用于延时充放电电路中。

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　　 读出数据时从PLC到变频器的发送数据格式上述数据格式中数据指的是PLC与变频器传输的数据。等待时间是规定变频器从收到PLC来的数据和传输应答数据之间的等待时间。根据PLC的响应时间在0～150ms之间设定等待时间，设定单位10ms。当变频器的Pr.123参数单元不设为9999时，则等待时间不由通信数据设定，通信数据格式中无等待时间。总和校验码是由被校验的ASCII数据的总和（二进制）的一个字节（8位）表示的两个ASCII数字（十六进制）。