详细说明
ZR-KX-GsFV2X1.02X1.5MOS管型防反接保护电路利用了MOS管的开关特性，控制电路的导通和断开来设计防反接保护电路，由于功率MOS管的内阻很小，现在MOSFETRds（on）已经能够做到毫欧级，解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。极性反接保护将保护用场效应管与被保护电路串联连接。一旦被保护电路的电源极性反接，保护用场效应管会形成断路，防止电流烧毁电路中的场效应管元件，保护整体电路。N沟道MOS管防反接保护电路电路如示N沟道MOS管通过S管脚和D管脚串接于电源和负载之间，电阻R1为MOS管提供电压偏置，利用MOS管的开关特性控制电路的导通和断开，从而防止电源反接给负载带来损坏。
ia-K2YVR 2*2*1.5本安型控制软电缆
ia-K2YVR 本安型PE绝缘PVC护套二芯绞合控制软电缆
产品特点:
1、电缆型号、名称及使用范围
|
型号
|
名 称
|
使用范围
|
|
ia-K2YV
|
本安型PE绝级、PVC护套二芯绞合控制电缆
|
固定敷设在室内、电缆沟或管道中。
|
|
ia-K2YVR
|
本安型PE绝缘PVC护套二芯绞合控制软电缆
|
适用于要求柔软的场合。
|
|
ia-K2YV（EX）
|
本安型PE绝缘、PVC护套二芯绞合仪用电缆
|
固定敷设在室内、电缆沟或管道中
|
|
ia-K2YV（EX）R
|
本安型PE绝缘PVC护套二芯绞合仪用软电缆
|
适用于要求柔软的场合
|
|
ia-K3YV
|
本安型PE绝缘PVC护套三芯绞合控制电缆
|
适用于要求柔软的场合
|
|
ia-K3YVY
|
本安型PE绝缘PVC护套三芯绞合控制电缆
|
适用于要求柔软的场合
|
|
ia-K3YV（EX）
|
本安型PE绝缘PVC护套三芯绞合仪用电缆
|
固定敷设在室内、电缆沟或管道中
|
|
ia-k3YVR（EX）R
|
本安型PE绝缘PVC护套三芯绞合仪用软电缆
|
适用于要求柔软的场合
|
ZR-KX-GsFV2X1.02X1.5电流互感器在电力系统中应用广泛，其原理是将一次侧大电流转换成二次侧小电流。二次侧电流一般是1A或者5A，低压系统中常见的是5A。一次匝数少，二次匝数多。简单说，将大电流转变成小电流便于仪表计量测量，保证人身安全。下面看看一些电流互感器的图片互感器的形式有很多种，看下图互感器型号含义就可以看出来电流比即一次侧电流和二次侧电流的比，看下0/5A,一次侧电流300A，二次侧电流5A，300÷5=60，所以我们也可以说变比为60。
注:根据用户需要也可生产铠装型或阻燃型本安电缆
4、生产范围
|
型号
|
对（组数）
|
标称截面（mm2）
|
|
ia-K2YV ia -K2YVR
|
1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、12、14、16、19
|
0.75 1.0 1.5 2.5
|
|
ia-K2YV（EX） ia-K2YV（EX）R
|
1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、12、14、16、19
|
0.75 1.0 1.5 2.5
|
|
ia-K3YV ia-K3YVR
|
1、2、3、4、5、7、8、9、10
|
0.75 1.0 1.5
|
|
ia-K3YV（EX） ia-K3YV（EX）R
|
1、2、3、4、5、7、8、9、10
|
0.75 1.0 1.5
|
ZR-KX-GsFV2X1.02X1.5主要用于存储程序中的变量。在单芯片单片机中（*1），常常用SRAM作为内部RAM。SRAM允许高速访问，内部结构太复杂，很难实现高密度集成，不适合用作大容量内存。除SRAM外，DRAM也是常见的RAM。DRAM的结构比较容易实现高密度集成，比SRAM的容量大。将高速逻辑电路和DRAM安装于同一个晶片上较为困难，一般在单芯片单片机中很少使用，基本上都是用作外围电路。（*1）单芯片单片机是指:将CPU，ROM，RAM，振荡电路，定时器和串行I/F等集成于一个LSI的微处理器。