您的位置:供应信息分类 > 电子 > 可控硅
MURP20050CT电焊机快恢复二极管

名称:MURP20050CT电焊机快恢复二极管

供应商:深圳市红邦半导体有限公司

价格:面议

最小起订量:1/个

地址:深圳市南山区科发路8号金融服务技术创新基地1栋

手机:13927449114

联系人:陈邦中 (请说在中科商务网上看到)

产品编号:89119650

更新时间:2019-03-14

发布者IP:113.88.152.230

详细说明

  HT40HB120H6HN    绝缘栅型场效应管

  GU80TT120B2HN    双极型三极管

  GU80TT120B2H    IGBT模块工作原理

  GU75HF120T1VH    驱动电路模块

  GU50HF120T1VH    电磁炉IGBT模块

  GU200HF120T2VH    无功补偿器IGBT模块

  GU150HF120T2VH    氩弧焊IGBT模块

  GU100HF120T2VH    电磁加热器模块

  GU100HF120T1VH    电源功率模块

  GTS40PI120T6H-T4    逆变器模块

  GTS40PI120T6H    沟槽型低损系列IGBT模块

  GTS40PI120T5H    高频感应加热IGBT

  GTR75TL65B9H    大功率电磁炉模块

  GTR75HF65T1VH    正规IGBT模块代理

  GTR600TL65T7H-P    IGBT模块厂家

  GTR600TL65T7H-N    一带一路IGBT模块

  GTR600HF65T9H    苹果7IGBT模块

  GTR50HF65T1VH    iPhone7半导体模块

  GTR450HF65T9H    快速低损耗IGBT模块

  GTR400TT65A8H    IGBT模块拓扑图

  GTR400TL65T7H-P    IGBT模块参数数据手册

  GTR400TL65T7H-N    IGBT模块公司

  GTR400HF65T2VH    IPM智能功率模块

  GTR400HF65A5HH    SEMICONDUCTOR模块

  GTR300TL65T7H-P    MOSFET半导体模块

  GTR300TL65T7H-N     互联网+IGBT模块

  GTR300TL65T2SH    变频器IGBT模块

  GTR300TL65A8H    电焊机逆变模块

  GTR300TAR65T2SH    功率模块

  GTR300HF65T9H    半导体模块

  GTR300HF65T2VH    MACMIC

  GTR300HF65A5HH     互联网+红邦

  GTR200TL65T2SH    绝缘栅型场效应管

  GTR200TL65A8H    高频感应加热IGBT

  GTR200TAR65T2SH    大功率电磁炉模块

  GTR200HF65T2VH    正规IGBT模块代理

  GTR200HF65T1VH    IGBT模块厂家

  GTR200HF65A5HH    一带一路IGBT模块

  GTR200FF65T6H    苹果7IGBT模块

  GTR200FF65A8H    iPhone7半导体模块

  GTR150TL65T2SH    快速低损耗IGBT模块

  GTR150TL65B9H    IGBT模块拓扑图

  GTR150TAR65T2SH    红邦IGBT模块

  GTR150HF65T1VH    德国进口英飞凌

  GTR150HF65A5HH    现货供应

  GTR150FF65T6H    (印字)整流桥

  GTR150FF65A8H    进口芯片AN二极管

  使用带纹路的散热器时,IGBT长的方向顺着散热器的纹路,以减少散热器的变形。两只模块在一个散热器上安装时,短的方向并排摆放,中间留出足够的距离,主要是风机散热时减少热量迭加,容易散热,最大限度发挥散热器的效率。二是模块端子容易连接,有利于减少杂散电感,尤其高频使用时更重要。

  ⑨ 在连接器件时,连接模块的母线排不能给模块主端子电极造成过大的机械和热应力,以免模块电极的内部焊接断裂或电极端子发热在模块上产生过热驱动电路:由于IGBT的UCE(sat)和短路耐量之间的折衷关系,建议将栅极电压选为+UG=15V±10%,—UG =5~10V。栅极电阻与IGBT的开通和关断特性密切相关,RG小时开关损耗减少,开关时间缩短,关断脉冲电压增大。应根据浪涌电压和开关损耗的最佳折衷关系(与频率有关)选择合适的RG值,一般选为10~27Ω。为防止栅极开路,在栅极与发射极问并联20~30kΩ的电阻。

  ②保护电路: IGBT模块使用在高频时,布线电感容易产生尖峰电压,必须注意布线电感和组件的配置。应设的保护项目有:过电流保护、过电压保护、栅极过压及欠压保护、安全工作区、过热保护。

  ③ 吸收电路:由于IGBT开关速度快,容易产生浪涌电压,所以必须设有浪涌钳位电路。

  ④IGBT 并联使用时应考虑栅极电路的线路布线、电流不平衡和器件之间的温度不平衡等问题。