GK200HF60T2VH    一带一路IGBT模块

　　GK200HF60T1VH-FN    苹果7IGBT模块

　　GK200HF60T1VH    iPhone7半导体模块

　　GK200HF60A5H-FN    快速低损耗IGBT模块

　　GK200HF60A5H    IGBT模块拓扑图

　　GK200HF120T2VH    IGBT模块参数数据手册

　　GK200CU60T2VH-FN    IGBT模块公司

　　GK200CU60T2VH    IPM智能功率模块

　　GK200CU60T1VH    SEMICONDUCTOR模块

　　GK200CL60T2VH-FN    MOSFET半导体模块

　　GK200CL60T2VH     互联网+IGBT模块

　　GK200CL60T1VH    变频器IGBT模块

　　GK200CE60T2VH    电焊机逆变模块

　　GK200CE60T1VH    功率模块

　　GK15PI60B3LH    半导体模块

　　GK15PI60B3H    MACMIC

　　GK15PI60B2H     互联网+红邦

　　GK15PI60B2FH    绝缘栅型场效应管

　　GK150SG60T1VH    高频感应加热IGBT

　　GK150SD60T1VH    大功率电磁炉模块

　　GK150HF60T1VH-FN    正规IGBT模块代理

　　GK150HF60T1VH    IGBT模块厂家

　　GK150HF60A5H-FN    一带一路IGBT模块

　　GK150HF60A5H    苹果7IGBT模块

　　GK150HF120T2VH    iPhone7半导体模块

　　GK150CU60T1VH    快速低损耗IGBT模块

　　GK150CL60T1VH    IGBT模块拓扑图

　　GK150CE60T1VH    红邦IGBT模块

　　GK1200SD330T4SH    德国进口英飞凌

　　GK10PI60B3LH    现货供应

　　GK10PI60B3H    （印字）整流桥

　　GK10PI60B2H    进口芯片AN二极管

　　GK10PI60B2FH     互联网+IGBT模块

　　GK100SG60T1VH    变频器IGBT模块

　　GK100SD60T1VH    电焊机逆变模块

　　GK100PI60T6H    功率模块

　　GK100HH60T5H    半导体模块

　　GK100HF60T1VH-FN    MACMIC

　　GK100HF60T1VH     互联网+红邦

　　GK100HF120T2VH    绝缘栅型场效应管

　　车用电器必须承受的工作温度范围为- 40℃~＋85℃，还必须承受100~240V、0.5J的瞬变电压和80V、50J负载切断瞬变等恶劣环境及其他复杂的工作条件。ZCN0545是车用电器的理想驱动功率器件。利用ZCN0545 驱动车灯和继电器负载的简化电路如图1 (a)和(b)所示，负载电流可达180mA。图1 (b)中的R1用于抑制继电器关断期间产生的瞬时电压。在这两个电路中，ZCN0545不需要保护元件，既降低了成本，同时又减小了驱动电路所占的空间。采用NPT工艺制造的I）系列NPT-IGBT模块，  比PT (Punch Through) IGBT有更多的优越性，特别适用于变频器、交流伺服系统、UPS、焊接电源等领域，其显著特点如下:

　　①电流额定值是在Tc=800℃时标出的。

　　②P系列NPT-IGBT的UCE(sat）与温度成正比，易于并联。

　　③开关损耗的温度系数比PT-IGBT小，当结温升高时，其开关损耗比PT-lGBT增加得少，因此 P系列模块更适合高频应用。

　　④P系列的1400v系列模块可用于交流 380~575V的功率变换设备中。

　　⑤在P系列NPT-IGBT模块中，1400V模块比PT-IGBT有更大的安全工作区