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　　由于IGBT高频性能的改进，可将驱动电路、保护电路和顸障诩薪电路集成在一起，制成智能功率模块，一般情况下采用电压触发。通过采用大规模集成电路的精细制作工艺并对器件的少数载流子寿命进行控制，新一代功率IGBT芯片已问世。与第1代产品相比，在断态下降时间及饱和电压特性上均有较大的提高。而新型IPM采用第4代IGBT，使模块的性能得以大幅提高，第4代IGBT在开发中主要采取以下几项新技术。

　　1) FWD技术。在模块中选用降低正向电压(VF)的二极管器件，在600V和1200V系列产品的应用中，逆变器载波频率为lOkH。时产生的损耗与第三代同系列产品相比降低20%。

　　2) 蚀刻模块单元的微细化技术。采用蚀刻模块单元的微细化技术使第4代IGBT控制极的宽度(LH)已达到最佳化设计，故集电极、射极之间的饱和电压VCE(sat）可降低0.5V，使开关损耗降低。

　　3) NPT技术。采用NPT技术使载流子寿命得到控制，从而减少开关损耗对温度的依存性。这样，可减少长期使用过程中的开关损耗。