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　　表 1 中的内容可以佐证以下值得我们关注的结论。

　　·1.  VGES远不止手册给出的土20V(第3章已指出)，进行实际测定并 留有合适的裕量、选择比较高的栅极正向偏置电压利大于弊。

　　·2. 增加VGE能够增加IGBT的饱和深度，但大于15V以后对饱和压降的影响也是微乎其微的。

　　·3. 反向偏置电压的绝对值越高越有利，一般推荐的数值是—5~—15V。实际上，如果确定是安全的，—20V也许更为合适。

　　·4. 表面上看，RG似乎取比较小的值有利，因为减小dv/dt的问题更为重要——发射极有限流电阻时，还能加强反馈作用，提高IGBT的稳定性。因此，当开关功耗不是主要矛盾时，应该选择比较大的RG，如高压应用场合，就应该选择比较大的RG值。