英飞凌FZ1600R12KE3

　　产品特点和作用

　　英飞凌FZ1600R12KE3和FZ1600R12HP4 IGBT模块经历20多年的市场检验，已经成为如逆变电路DC/AC、变频器、电机传动等电子产品中主要器件，。 英飞凌FZ1600R12KE3和FZ1600R12HP4 综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

　　英飞凌FZ1600R12KE3和FZ1600R12HP4 IGBT模块的基本参数:IGBT模块 1600A/1200V/1U 采用英飞凌IHM 130mm封装。

　　英飞凌:FZ1600R12KE3和FZ1600R12HP4型号专用MA40xExx模块适配器板的特点:

　　? 电气特性和机械特性都适合满足IHM 模块系列

　　?  设计的目标工作温度: -55℃至85℃

　　?  开通和关断过程可以设置不同的门极驱动电阻值

　　?  通过有源箝位保护了IGBT在关断期间的暂态过电压

　　?  采 用二极管监控IGBT的欠饱和，实现短路保护

　　?  除了接插口外，所有器件都是采用260℃无铅焊接的表面贴装器件（SM D） 。

　　?  PCB设计满足IEC61800-5-1,污染级别2,过压种类III(爬电距离–11mm)的要求。

　　英飞凌FZ1600R12KE3与英飞凌FZ1600R12HP4产品参数

　　产品种类:     IGBT 模块

　　品牌和型号     英飞凌FZ1600R12KE3

　　英飞凌FZ1600R12HP4

　　配置:     Dual Common Emitter Common Gate

　　集电极—发射极最大电压 VCEO:     1200 V

　　集电极—射极饱和电压:     1.7 V

　　在25 C的连续集电极电流:     1600 A

　　栅极—射极漏泄电流:     400 nA

　　功率耗散:     7.8 kW

　　最大工作温度:     + 125 C

　　封装 / 箱体:     IHM 130X140-7

　　商标:     Infineon Technologies

　　栅极/发射极最大电压:     +/- 20 V

　　最小工作温度:     - 40 C

　　安装风格:     Screw

　　工厂包装数量:     8

　　英飞凌FZ1600R12KE3与英飞凌FZ1600R12HP4产品参数 封装尺寸和电路图:

　　英飞凌FZ1600R12KE3与英飞凌FZ1600R12HP4产品参数 封装尺寸和电路图

　　英飞凌FZ1600R12KE3 IGBT模块的优势

　　从IGBT的下述特点中可看出, 它克服了功率MOSFET的一个致命缺陷, 就是于高压大电流工作时, 导通电阻大, 器件发热严重, 输出效率下降。

　　IGBT的特点:

　　1.电流密度大, 是MOSFET的数十倍。

　　2.输入阻抗高, 栅驱动功率极小, 驱动电路简单。

　　3.低导通电阻。在给定芯片尺寸和BVceo下, 其导通电阻Rce(on) 不大于MOSFET的Rds(on) 的10%。

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