英飞凌FF1000R17IE4D

　　产品作用和特性

　　英飞凌FF1000R17IE4D_B2 是带有温度检测NTC的PrimePACK?3模块，其具有开关频率高、导通功耗小及门极控制方便等特点，采用铜基板结构，具有高功率循环和温度循环能力，在三电平应用、辅助逆变器、大功率变流器、电机传动、牵引变流器、风力发电机等工业电子设备中得到广泛的应用。

　　igbt作为电力电子系统的一种关键的电力半导体器件已经持续增长了若干年，由于它使电力电子装置和设备实现了更高的效率，更高的开关频率和功率变换装置小型化的设计，随着性能不断提升，igbt器件的应用领域已经扩展到更宽的范围，不仅在工业中，而且在许多其他功率变换系统中，它已经取代了大功率双极晶体管（gtr）、功率mos场效应管（mosfet），甚至出现替代门关断晶闸管（gto）的现实趋势。

　　FF1000R17IE4D_B2 机械特性

　　? 封装的CTI>400

　　? 高爬电距离和电气间隙

　　? 高功率循环和温度循环能力

　　? 高功率密度

　　? 铜基板

　　基本参数:1000A/1700V/2U  PrimePACK?3模块

　　【英飞凌FF1000R17IE4D_B2封装尺寸和结构图】

　　英飞凌FF1000R17IE4D_B2封装尺寸和结构图

　　【英飞凌FF1000R17IE4D_B2产品参数】

　　产品:     IGBT Silicon Modules

　　品牌和型号     英飞凌FF1000R17IE4D_B2

　　配置:     Dual

　　集电极—发射极最大电压 VCEO:     1700 V

　　集电极—射极饱和电压:     2.45 V

　　在25 C的连续集电极电流:     1390 A

　　栅极—射极漏泄电流:     400 nA

　　功率耗散:     20mW

　　总功率损耗     6.25KW

　　最大工作温度:     + 150 C

　　封装 / 箱体:     PRIME3

　　商标:     Infineon Technologies

　　栅极/发射极最大电压:     +/- 20 V

　　最小工作温度:     - 40 C

　　安装风格:     Screw

　　产品报价和PDF资料:     联系索取或咨询

　　【英飞凌FF1000R17IE4D_B2 电路图】

　　英飞凌FF1000R17IE4D_B2 电路图

　　【FF1000R17IE4D_B2 IGBT工作原理】

　　IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP 晶体管提供基极电流，使IGBT 导通。反之，加反向门极电压消除沟道，流过反向基极电流，使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET ，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后，从P+ 基极注入到N 一层的空穴（少子），对N 一层进行电导调制，减小N 一层的电阻，使IGBT 在高电压时，也具有低的通态电压。

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