南京回收人造金刚石废料公司

　　金刚石半导体，被业界誉为[敏感词]半导体也是有原因的，目前主要研究热点在哪，这要从金刚石本身的性质出发。金刚石是一种超宽禁带半导体材料，其禁带宽度为5.5eV，比GaN、SiC等宽禁带半导体材料还要大。如下表所示，金刚石禁带宽度是Si的5倍；载流子迁移率也是Si材料的3倍，理论上金刚石的载流子迁移率比现有的宽禁带半导体材料（GaN、SiC）也要高2倍以上，同时，金刚石在室温下有低的本征载流子浓度。并且，除了[敏感词]硬度以外，金刚石还具有半导体材料中[敏感词]的热导率，为AlN的7.5倍，基于这些的性能参数，金刚石被认为是制备下一代高功率、高频、高温及低功率损耗电子器件有希望的材料，被业界誉为“[敏感词]半导体”。

　　新型纳米金刚石—超分散金刚石近年来随着粒径的不断减小，金刚石的功能是在不断增大。每克拉纳米金刚石（平均粒径大约0.001微米左右的金刚石）的块数比传统微米金刚石的块数多得多。实际上，仅仅一克拉100nm的金刚石磨料就包括大约100百亿块。因为每克拉所包含的个数是与半径的立方成正比的，所以3微米金刚石的个数等于100，000克拉100nm的金刚石所包含的块数，也就是44lbs，相当于22吨30微米的金刚石。这种尺寸的金刚石通常被用于切割片。

　　P型掺杂与N型掺杂对金刚石半导体器件而言，金刚石材料的掺杂是形成功率器件的基础技术。金刚石半导体实现商业化的[敏感词]问题是金刚石的体掺杂尚未解决，制造P型晶体管容易、制造n型晶体管困难。金刚石的p型掺杂技术则比较成熟，主要掺杂物是硼原子。对p型金刚石来说，硼杂质很容易就能融入天然金刚石和MPCVD金刚石，不存在晶体取向问题，但硼室温下效率小于0.1%。硼在金刚石中的掺杂浓度和迁移率是此消彼长的关系，过大的掺杂浓度往往导致迁移率的迅速下降，当硼掺杂浓度为1019cm-3时，迁移率将降低到100cm2·V-1·s-1以下。

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