丽水回收培育钻HTHP和CVD联系方式

　　实验室主要采取高温高压法（HighPressureHighTemperature，简称HTHP）以及化学气相沉积法（ChemicalVaporDeposition，简称CVD）制造钻石。高温高压法（HTHP）:高温高压法，英文名称为HighPressureHighTemperature（HTHP），是指模拟天然金刚石的生长环境，以石墨、金刚石粉或石墨-金刚石粉为碳源，在高温高压、金属触媒等生长环境中形成的等轴晶系晶质体，简称为HTHP合成钻石，或HTHP培育钻石。在该过程中，纯净的碳粉被压缩进一个生长胶囊随后被放置在一个培育仓中，液压装置模拟天然钻石在地下深处的高温高压形成条件，压强5-6GPa，温度1300-1600°C；在高温高压下，碳原子之间互相连接形成钻石晶体。HTHP工艺可以改善品质较低的天然钻石和合成钻石的颜和纯度，并可以将钻石颜调成粉红、蓝或黄等。

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　　GIA美石研究院鉴定重量为0.15克拉或以上的未镶嵌、无至近乎无的合成钻石，分级报告中用“laboratory-grown（实验室培育）”指培育钻石，并且注明生产方法（CVD或HTHP）。GIA的分析方法包括观察内含物以及荧光和磷光等。然后，GIA根据钻石评级实验室的数据对培育钻石进行评级，颁发实验室制造钻石报告。该书外观与GIA天然钻石鉴定书类似，涵盖与天然钻石鉴定书相同的信息，且包含颜、净度等信息。

　　CVD技术是在金刚石亚稳定的压力温度条件下的生长方法。原理是将含碳气体甲烷（CH4）和氢气混合物在负压和温度100-1,500°C条件下激发分解出活性碳原子，通过控制沉积生长条件促使活性碳原子在基体上沉积，按照晶种提供的钻石模板排列堆积，交互生长成金刚石晶体，该种方法下合成的金刚石主要为片状金刚石膜。

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　　生产技术诞生于上50年代，各地实验室持续技术突破18世纪末拉瓦锡的发现奠定培育钻石生产的理论基础。18世纪末，法国化学家拉瓦锡现天然钻石是由碳元素组成的单质晶体，并于地底深处高压高温条件下形成。该系列发现为培育钻石的生产技术提供了理论基础。CVD培育钻石早诞生于1952年的美国。1952年，美国联邦碳化硅公司的科学家威廉·艾弗索运用化学气相沉积法（CVD）制造出颗人造钻石。但当时，CVD法制造培育钻石速度很慢，因此无法供商业应用。1956年，苏联科学家通过在非钻石的基片上生长培育钻石薄膜，显著提高了CVD培育钻石的速度