潍坊回收人造金刚石废料公司

　　电催化高级氧化技术（ElectrocatalyticAdvancedOxidationProcesses，EAOPs）能直接或间接产生强氧化物种，可有效降解水中有毒、难降解的有机污染物，甚至彻底地矿化，具有氧化性强、操作简便、环境友好等一系列特点。其中，掺硼金刚石（boron-dopeddiamond，BDD）薄膜电是目前研究较为广泛的一种形稳性阳电，具有电势窗口宽、背景电流低、电化学稳定性好、耐蚀性以及表面不易被污染等特点，是目前所知的析氧电位高的电材料，被认为是电化学氧化去除水中难生物降解有机污染物中有应用前景的阳材料。

　　功率晶体管与逻辑电路金刚石晶体管在功率电子学和微波电子学两大领域均有进展。在功率电子学领域向高击穿电压、高击穿场强、高温工作、低导通电阻、高开关速率和常关器件的方向发展。金刚石晶体管以各类FET为主，包括金属半导体场效应晶体管(MESFET)、MOSFET和JFET等，其沟道有两种:金刚石氢终端表面二维空穴气和p型掺杂层。随着n型掺杂材料的进步，开始出现双型金刚石器件，近期还研发出异质结双晶体管。在微波电子学领域以氢终端FET为主，并且向高fT/fmax和高功率密度方向发展。

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　　除了同质外延，异质外延也是生长大面积单晶金刚石的一种有效方法。异质外延是指在Si、蓝宝石、MgO等衬底上利用缓冲层来缓解金刚石与衬底的热失配和晶格失配，实现单晶金刚石薄膜的生长，其中有效的缓冲层为Ir等。理论上该方法可以生长面积大的单晶金刚石，以满足其在电子器件领域产业化需求。其主要不足是缺陷密度高。在微波等离子化学气相沉积(MPCVD)生长技术中突破了加氮高速生长、脉冲放电率生长和离子注入剥离等关键技术后，近10年来又实现了多方向重复的三维MPCVD高速外延生长(生长速率100μm·h-1)，大尺寸、厚而无多晶金刚石边缘的生长和采用等离子体CVD在(H，C，N，O)系统中200h无边界连续生长等技术。