邓州回收钻石CVD公司地址

　　培育钻石与天然钻石的物理、化学和光学性质都一致，区别仅在于形成过程不同。不同于莫桑石和锆石等仿钻，培育钻石和天然钻石都是“真钻石”。具体看，莫桑石化学成分是碳化硅(SiC)，锆石化学成分是立方氧化锆(ZrO2)，而培育钻石和天然钻石都是纯碳(C)构成的晶体，在透明度、折射率、散等方面相同，靠肉眼观察区分二者，只能借助设备仪器，通过光谱、晶体生长纹、阴发光等方法进行鉴别。培育钻石技术发展史:HTHP法与CVD法各有千秋

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　　六面顶压机形成我国培育钻石上游产业链护城河在竞争中显现优势作为的人造金刚石单晶，培育钻石目前的主要合成装备是我国自主研发的六面顶压机。人造金刚石中颜、重量和纯净度达到一定标准的宝石级金刚石大单晶可作为培育钻石镶嵌饰品，合成压机是生产培育钻石的核心装备，合成压机的合成腔体可以为金刚石单晶合成创造一个超高温（>1400℃）、超高压（>5GPa）的生长环境，促使活性碳原子生长成稳定的金刚石晶体。

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　　化学气相沉积法（CVD）是在高温（700°C-1,300°C）、低压（压强小于1Pa）的真空环境下，激发气体中的活性碳原子，通过控制其生长条件使活性碳原子均匀地沉积到天然钻石薄片上，待生长到足够的厚度，便形成培育钻石，该种方法下合成的金刚石主要为片状金刚石膜。CVD由于工艺和生产成本限制，适合生产3.5克拉以上的培育钻石毛坯。

　　生产技术诞生于上50年代，各地实验室持续技术突破18世纪末拉瓦锡的发现奠定培育钻石生产的理论基础。18世纪末，法国化学家拉瓦锡现天然钻石是由碳元素组成的单质晶体，并于地底深处高压高温条件下形成。该系列发现为培育钻石的生产技术提供了理论基础。CVD培育钻石早诞生于1952年的美国。1952年，美国联邦碳化硅公司的科学家威廉·艾弗索运用化学气相沉积法（CVD）制造出颗人造钻石。但当时，CVD法制造培育钻石速度很慢，因此无法供商业应用。1956年，苏联科学家通过在非钻石的基片上生长培育钻石薄膜，显著提高了CVD培育钻石的速度