菏泽回收培育钻石的地方

　　高温高压法(high-temperatureandhigh-pressure，HTHP)通过设备模拟天然钻石生长环境。六面顶压机是HTHP法的主要生产设备，具体原理为:将钻石晶种放置于加热至1300-1600°C、加压至5.0-6.0Gpa的生长室中，碳原料(如石墨、金刚石粉)在金属触媒(铁Fe、镍Ni、钴Co等及其合金)中熔解，同时金属触媒降低石墨向金刚石相变所需温度和压力条件，然后碳原料在温度梯度作用下向温度较低的钻石晶种移动，并围绕其结晶形成培育钻石晶体，整个结晶过程约需数周时间。

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　　培育钻石原材料为石墨粉和金属触媒粉，直接材料在成本中占比不到2%相比天然钻石的悠久历史，诞生于上世纪中期的培育钻石算是近现代产物。18世纪末，法国化学家拉瓦锡发现钻石是一种由碳元素组成的单质晶体，为后世的培育钻石技术提供了理论基础，也由此书写了培育钻石的发展篇章。培育钻石的主要原材料为石墨粉和金属触媒粉。在培育钻石合成过程中﹐石墨粉(碳元素）通过合成技术培育钻石，金属触媒粉只是促使石墨粉转化为培育钻石的一种材料。不同原材料配比直接决定着产品的粒度、性能和品质，一般金属触媒粉耗用量与石墨粉耗用量的比例大约为1:1左右。

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　　相较于天然钻石，培育钻石在晶体结构的完整性、折射率、相对密度、色散等方面已经可以与天然钻石媲美，且培育钻石不存在污染问题和过度开采，及战争、政治等问题，因而性价比更高，更环保，更易量产。

　　合成设备的性及培育钻石合成技术水平的提高，将培育钻石研发向大颗粒、高品级、多颜等方向不断突破。合成设备六面顶压机合型号越高、腔体越大，生产效率也就越高；培育钻石合成技术越高，合成时间越长，粒度沉积越大。我国企业主要布利润率较高的产业链上游，占据近半产能，预计在培育钻石加速渗透过程中为受益。中国培育钻石HTHP法在占据优势（占HTHP法培育钻石产能90%），CVD技术亦得到储备发展，5ct以上培育钻石制备技术和规模都将得到升级，中红箭、国机精工、征世科技等企业均掌握CVD技术。CVD法国外技术相对成熟，国内尚处研究阶段，产能主要位于美国、印度、欧中和中东及新加坡等地。