山西回收培育钻石方法有哪些

　　CVD法起源于1952年的美国，我国CVD法培育钻石起步较晚。CVD有燃烧火焰、热丝、直流等离子、微波等离子多种流派。1952年，美国联邦碳化硅公司在低压条件下用含碳气体生长出培育钻石；1982年日本国家无机材料研究所宣布，培育钻石的生长速度已超过每小时1微米；1990年，荷兰Nijmegen大学用热丝法生长出了厚达0.5mm的CVD单晶体；1993年，美国Crystalline公司用微波等离子体CVD法生长出了相似厚度的单晶培育钻石；2007年，美国ApolloDiamond公司成功培育出批无宝石级CVD钻石；同年，德国奥格斯堡大学技术团队用“异质外延生长技术”成功生长出155ct的CVD单晶培育钻石；2019年，中科院宁波材料所实验室用一周时间制成1ct毛坯培育钻石。相较海外而言，我国CVD法培育钻石起步较晚。

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　　同时，由于中国的全面发展，科学技术水平的提高，人工成本也在不断提高，劳动密集型企业人工正逐步被机器取代，或向其他人工成本比较低的国家转移。而印度拥有大量人口，人工成本比较低廉，再加上印度以来世代传承的切磨技术，印度很快成为了钻石切磨中心，2019年，27%的切磨钻石出口自印度。美国作为培育钻石大的消费市场，更是直接在印度开设工厂，生产或购买培育钻石毛坯，在印度切磨加工后，再将成品钻石销往美国。

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　　化学气相沉积法（CVD）是在高温（700°C-1,300°C）、低压（压强小于1Pa）的真空环境下，激发气体中的活性碳原子，通过控制其生长条件使活性碳原子均匀地沉积到天然钻石薄片上，待生长到足够的厚度，便形成培育钻石，该种方法下合成的金刚石主要为片状金刚石膜。CVD由于工艺和生产成本限制，适合生产3.5克拉以上的培育钻石毛坯。

　　实验室主要采取高温高压法（HighPressureHighTemperature，简称HTHP）以及化学气相沉积法（ChemicalVaporDeposition，简称CVD）制造钻石。高温高压法（HTHP）:高温高压法，英文名称为HighPressureHighTemperature（HTHP），是指模拟天然金刚石的生长环境，以石墨、金刚石粉或石墨-金刚石粉为碳源，在高温高压、金属触媒等生长环境中形成的等轴晶系晶质体，简称为HTHP合成钻石，或HTHP培育钻石。在该过程中，纯净的碳粉被压缩进一个生长胶囊随后被放置在一个培育仓中，液压装置模拟天然钻石在地下深处的高温高压形成条件，压强5-6GPa，温度1300-1600°C；在高温高压下，碳原子之间互相连接形成钻石晶体。HTHP工艺可以改善品质较低的天然钻石和合成钻石的颜和纯度，并可以将钻石颜调成粉红、蓝或黄等。