绵阳回收培育钻HTHP和CVD电话

　　两种生产方法各有优势互不替代、HTHP五道工序精心打造培育钻石培育钻石是的人造金刚石单晶。目前，人造金刚石行业主要有高温高压法（HTHP）和化学气相沉积法（CVD）两大类生产方法。两种方法采用不同的合成原理和合成技术，生产出的产品类型和产品特点也各不相同，主要产业应用也侧重在不同的终端领域。在培育钻石合成领域，高温高压法（HTHP）培育速度快，在1-5ct培育钻石合成方面具有明显优势；化学气相沉积法（CVD）合成的培育钻石纯净度高，较适宜5ct以上培育钻石合成。两种方法侧重于不同类型的产品，不构成替代关系。

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　　实验室主要采取高温高压法（HighPressureHighTemperature，简称HTHP）以及化学气相沉积法（ChemicalVaporDeposition，简称CVD）制造钻石。高温高压法（HTHP）:高温高压法，英文名称为HighPressureHighTemperature（HTHP），是指模拟天然金刚石的生长环境，以石墨、金刚石粉或石墨-金刚石粉为碳源，在高温高压、金属触媒等生长环境中形成的等轴晶系晶质体，简称为HTHP合成钻石，或HTHP培育钻石。在该过程中，纯净的碳粉被压缩进一个生长胶囊随后被放置在一个培育仓中，液压装置模拟天然钻石在地下深处的高温高压形成条件，压强5-6GPa，温度1300-1600°C；在高温高压下，碳原子之间互相连接形成钻石晶体。HTHP工艺可以改善品质较低的天然钻石和合成钻石的颜和纯度，并可以将钻石颜调成粉红、蓝或黄等。

　　CVD技术是在金刚石亚稳定的压力温度条件下的生长方法。原理是将含碳气体甲烷（CH4）和氢气混合物在负压和温度100-1,500°C条件下激发分解出活性碳原子，通过控制沉积生长条件促使活性碳原子在基体上沉积，按照晶种提供的钻石模板排列堆积，交互生长成金刚石晶体，该种方法下合成的金刚石主要为片状金刚石膜。

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　　化学气相沉积法（CVD）:化学气相沉积法，英文名称为ChemicalVaporDeposition（CVD），是指将含碳元素的混合气体置于一定条件下，气体中的碳原子按金刚石的结构在预先放置在生长舱中的种晶上沉淀，不断长大后形成的等轴晶系晶质体，简称为CVD培育钻石。CVD的培育首先将一个天然或培育钻石的籽晶片置于气体原料（主要是氢气H2和甲烷CH4）的环境中；在低压高温（压力小于1Pa,温度800~1000℃）的条件下，甲烷在高能微波或放电等方式的激发中分裂出一个个碳的等离子体，体到“种子钻石”上，籽晶片就会“一层一层”越长越大。