黄冈回收培育钻石的地方

　　HTHP法早诞生于瑞典，目前我国HTHP生产技术已位居世界前列。1953年瑞典ASEA公司早使用HTHP合成了金刚石微晶。我国于1964年首次使用两面顶压机成功合成培育钻石，又于1965年自主研发出六面顶压机投入超硬材料生产。受限于品相，早期培育钻石仅能用于工业用途。1971年，通用公司首次合成出5mm(约1ct)宝石级黄单晶金刚石。2002年，吉林大学使用国产六面顶压机技术合成出4.5mm黄金刚石单晶体，标志着我国正式拥有了自主自发HTHP宝石级金刚石技术。随后我国在HTHP技术上不断突破:2019年中南钻石公司掌握了20ct以内大尺寸高温高压培育钻石单晶合成技术，2020年力量钻石公司突破掌握5ct白培育钻石生长技术，目前中国HTHP生产技术已达到世界前列水平。

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　　高温高压法（HTHP）自20世纪50年代开始工业化应用，其合成原理是石墨粉在超高温、高压条件及金属触媒粉催化作用下发生相变生长出金刚石晶体，该种方法下合成的人造金刚石主要为颗粒状单晶，合成速度快、单次产量高、具备较好的经济性，其产业化应用主要是利用金刚石超硬、耐磨、抗腐蚀等力学特点制作磨切锯钻等加工工具。经过半个多世纪的发展，高温高压法技术已经比较成熟，该方法合成的金刚石单晶在粒度尺寸、晶型完整度、纯净度、强度等方面都取得较大进步。

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　　化学气相沉积法（CVD）是在高温（700°C-1,300°C）、低压（压强小于1Pa）的真空环境下，激发气体中的活性碳原子，通过控制其生长条件使活性碳原子均匀地沉积到天然钻石薄片上，待生长到足够的厚度，便形成培育钻石，该种方法下合成的金刚石主要为片状金刚石膜。CVD由于工艺和生产成本限制，适合生产3.5克拉以上的培育钻石毛坯。

　　化学气相沉积法(ChemicalVaporDeposition，CVD)通过富含碳的气体在钻石晶种表面沉积从而形成培育钻石。CVD法先将钻石晶种置于真空生长室中，并注入高含碳量混合气体(如甲烷)，将生长室加热至800-1000℃并使其压力低于标准大气压。在高温低压条件下，能量源(如微波束)将气体分解成碳和氢原子，碳原子经过扩散和对流在扁平钻石晶种上沉积，并以金刚石结构在其上结晶，形成板状钻石晶体。CVD方法合成的板状晶体通常会形成黑石墨粗糙边缘，因此在培育过程中会定期取出钻石打磨其顶部表面，再放回生长室，整个培育周期约为3-4周。