连云港回收金刚石复合片报价

　　随着金刚石低压合成的发展，采用化学气相沉积方法（CVD）合成PCD成为超硬领域的一大热点。利用含碳气体热分解，在基体上沉积金刚石结构形式的碳原子，形成D-D结合的PCD.CVD合成的金刚石膜主要用于光学及电子领域的功能材料。将用CVD法生长的金刚石厚膜（300μm左右）分割成具有切削刃的刀片，将其焊在工具的尖端作金刚石刀具，可以进行有金属的精密切削。成功地利用CVD法制备含硼的金刚石（具有高耐氧化性）拉丝模。CVD法合成的PCD由于不存在过渡族金属，热稳定性较好。而且由于晶粒细小、强度高有较高的耐磨性。但由于很难在硬质合金基体上直接沉积金刚石膜，薄膜与硬质合金衬底的结合成为复合片的制作难点，其工业化应用仍受到很大的限制。

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　　为了克服现有技术的不足，解决金刚石微粉在超高压高温烧结过程中的加压阶段出现了金刚石不可控的破裂，从而造成金刚石颗粒有裂纹和骨架粗颗粒金刚石的减少，影响了产品耐磨性和抗冲击性；金刚石的破裂还改变了原设计配方，金刚石粒径变小，导致聚晶金刚石层的烧结助剂含量增加，产品的耐热性差等问题。本发明提供一种用于钻头钻齿的聚晶金刚石复合片的制作方法。一种用于钻头钻齿的金刚石复合片，其特征是由下列重量份数的原料制成:较粗粒径的高强度金刚石微粉5-9份，较细粒径的低强度金刚石微粉5-1份，烧结助剂0-2份与硬质合金基体进行组装；所述较粗粒径的高强度金刚石微粉粒径为10-40μm，是由三型料以上强度的单晶金刚石破碎所得；较细粒径的低强度金刚石微粉粒径为2-15μm，是由一型料以下强度的单晶金刚石破碎所得。

　　弃用混料工艺，避免混料不均和金属钴粉在混料过程中表面氧化两大缺陷，杜绝结合剂分布不均、易聚集成团以及钴粉末表面氧化等问题。本发明与传统工艺相比，多晶金刚石层的金刚石分布均匀，无结合剂局部聚集现象，所制备出的金刚石复合片的耐磨性提高20％以上，抗冲击性能提高12％以上。

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　　采用在金刚石层与硬质合金层之间加入立方氮化硼（CBN）过渡层的方法，可以成功地降低界面的热应力。而常用的提高热稳定性的方法为采用酸处理使Co析出，可使PCD的热稳定温度由700℃升高到1200～1300℃，但同时使PCD的强度降低了1/4～1/3，形成多孔结构。文献提出将这种多孔的PCD80在1550℃真空状态下，浸于硅液中形成一种SiC结合的新型PCD，获得了高硬度（55GPa）、高耐磨性并兼具高热稳定性的PCD材料。在国内由于高压合成设备的限制，制作Co系PCD较困难，这种工艺应用较少。