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　　电子元器件的发展历程

　　从早期的电子管到如今的大规模集成电路，电子元器件经历了漫长的发展历程。电子管体积大、功耗高、寿命短，逐渐被半导体器件所取代。随着半导体技术的不断进步，集成电路的集成度越来越高，性能也不断提升。

　　四、电子元器件在日常生活中的应用

　　电子元器件无处不在，我们的手机、电脑、电视、汽车等各种设备中都大量使用了电子元器件。例如，手机中的芯片、显示屏、摄像头等都是由各种电子元器件组成的。汽车中的电子控制系统、音响系统、导航系统等也离不开电子元器件的支持。

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　　软磁材料是容易磁化也容易退磁的磁性材料。金属软磁材料主要有铁硅合金、坡莫合金等；铁氧体软磁材料主要有锰锌铁氧体(重量产量占6096)镁锰锌铁氧体(占35％)和高频用镍锌铁氧体材料等。磁记录材料是磁记录、磁光记录中的数据载体材料和信息读写磁头的材料。作为磁记录材料，主要是各类磁粉(氧化铁、金属磁粉等)和基片材料(塑料薄膜、金属薄膜、玻璃片等)。作为磁头材料，主要是坡莫合金、铁氧体材料、镍铁薄膜、磁阻及巨磁阻材料等。作为磁光记录材料，主要有重稀土--过渡族金属非晶薄膜、多晶调制薄膜和石榴石多晶薄膜等。

　　电感和磁珠有什么联系与区别1、电感是储能元件，而磁珠是能量转换（消耗）器件；

　　2、电感多用于电源滤波回路，磁珠多用于信号回路，用于EMC对策；

　　3、磁珠主要用于抑制电磁辐射干扰，而电感用于这方面则侧重于抑制传导性干扰。两者都可用于处理EMC、EMI问题。EMI的两个途径，即:辐射和传导，不同的途径采用不同的抑制方法。前者用磁珠，后者用电感；

　　砷化镓材料:向大直径长尺寸发展。随着GaAs IC集成度的提高和降低成本的需要，GaAs材料总的发展趋势是晶体大直径、长尺寸化。用于光电子领域的砷化镓材料采用水平布里其曼法(HB)、垂直布里其曼法(VB)和垂直梯度冷凝法(VGF)制备；半缘砷化镓材料主要应用于微电子领域，主要采用高压液封直拉法(HPLEC)、常压液封直拉法(LEC)、垂直布里其曼法(VB)和垂直梯度冷凝法(VGF)制备。VB/VGF技术在上已发展成为成熟的砷化镓晶体生长工艺，采用该技术生产的Ф76.2mm、Ф100mm的抛光片已商品化，目前国外半导体砷化镓材料的主流产品依然是Ф76.2mm。国内低阻砷化镓材料的主流产品为Ф50.8mm和Ф76.2mm。

　　一，如硅片、光刻胶等。领域有广泛应用，如光导纤维、微波 光电领域能源领域 电子料在光电显示、光存储等领域发电子料在太阳能电池、锂电池等新能 挥重要作用，如液晶材料、发光材料源技术中扮演关键角，如太阳能电

　　等。池中的光电转换材料。电阻、电容、电感等元件的性能 表示电流通过物质时遇到的阻力大能够在电场中存储电荷的元件，基表示电流通过导体时产生的磁场效