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　　电子元器件的发展历程

　　从早期的电子管到如今的大规模集成电路，电子元器件经历了漫长的发展历程。电子管体积大、功耗高、寿命短，逐渐被半导体器件所取代。随着半导体技术的不断进步，集成电路的集成度越来越高，性能也不断提升。

　　四、电子元器件在日常生活中的应用

　　电子元器件无处不在，我们的手机、电脑、电视、汽车等各种设备中都大量使用了电子元器件。例如，手机中的芯片、显示屏、摄像头等都是由各种电子元器件组成的。汽车中的电子控制系统、音响系统、导航系统等也离不开电子元器件的支持。

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　　单晶硅:中小尺寸为主。太阳能级硅单晶产量的大幅增加主要是受太阳能电池市场增长的拉动，以及国产单晶炉质量提高、价格较国外单晶炉低等原因。半导体级硅单晶总的发展状况趋于平稳。在硅材料中硅抛光片的技术含量高，抛光片的发展标志着国内硅产品的进步。我国的抛光片产量上涨势头良好，抛光片主要以4、5、6英寸为主。年硅外延片的产量中，我国只占的3.3%。目前，我国大部分企业只能生产4～6英寸硅外延片，8英寸、12英寸硅外延片正在研究试制。专家介绍说，硅材料市场前景广阔，我国硅单晶的产量、销售收入近几年递增较快，以中小尺寸为主的硅片生产已成为公认的事实，为世界和我国集成电路、半导体分立器件和光伏太阳能电池产业的发展做出了较大的贡献。

　　图3晶体二管的单向导电性晶体二管的参数有两个:

　　1.大正向电流:二管导通时允许通过的大电流。

　　2.高反向电压:二管截止时加在二管上的高电压。

　　以上两项参数在使用中都不能超过，否则二管将损坏。

　　还有一些用途的二管，如光电二管、发光二管等，也在电子制作中经常用到。

　　（二）晶体三管

　　晶体三管也是用半导体材料制成的，由于结构不同分为PNP型和NPN型两大类。三管的文字符号是V。常用的三管的外形和图形符号如表3-5。

　　纳米材料和纳米技术纳米是长度度量单位，1纳米(1nm)为十亿分之一米，略等于45个原子排列的长度。当超微细材料特征尺寸为1nmm -100 nm范围时，称为纳米材料。纳米级范围的材料存在着尺寸效应和量子效应，会导致电学、磁学、光学、力学等性质发生奇异的变化，例如1991年发明的碳纳米管，重量相当于钢的六分之一，强度却是钢的十倍。纳米材料的种种特异功能，将可广泛制作各种神奇功能的纳米产品。在电子工业上，有纳米磁性和磁记录材料，纳米电子陶瓷材料，纳米有机存储材料，纳米电波吸波材料，纳米导电浆料等等。实际上，各个行业都将广泛应用纳米材料。

　　集成电路（integrated circuit）是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、二管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构；其中元件在结构上已组成一个整体，使电子元件向着微小型化、低功耗和高性方面迈进了一大步。它在电路中用字母“IC”表示。集成电路发明者为 杰克·基尔比（基于硅的集成电路）和罗伯特·诺伊思（基于锗的集成电路）。