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　　电子元器件的发展历程

　　从早期的电子管到如今的大规模集成电路，电子元器件经历了漫长的发展历程。电子管体积大、功耗高、寿命短，逐渐被半导体器件所取代。随着半导体技术的不断进步，集成电路的集成度越来越高，性能也不断提升。

　　四、电子元器件在日常生活中的应用

　　电子元器件无处不在，我们的手机、电脑、电视、汽车等各种设备中都大量使用了电子元器件。例如，手机中的芯片、显示屏、摄像头等都是由各种电子元器件组成的。汽车中的电子控制系统、音响系统、导航系统等也离不开电子元器件的支持。

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　　在永磁材料和软磁材料方面，我国的生产规模已属世界，但在产品档次和工艺设备方面，与世界水平仍有5-10年左右差距。在磁记录材料方面，我国在开放后引进并大量地生产了录音、录像磁带片的材料及产品，但这类产品市场已大大萎缩。而软盘、硬盘片的材料我国基本不能自主生产。我国现在是各类磁头的生产大国，但磁头材料除录音磁头外，其它的磁头材料基本依靠。磁光记录材料也是基本依靠。总体说来，差距仍在扩大，这确应引起高度注视。

　　新型电池电池是使用广泛的产品，老一代电池不少因材料或生产过程对环境有较大污染，另外大量移动式电子电气设备的应用和对汽车废气的限制都要求使用新一代而又电池。目前已批量生产及重点开发的电池主要有:碱性锌锰干电池，由于应用无汞锌粉材料而避免汞污染，已成为干电池的主流产品；镍氢电池，取代了含有害物质的镍镉电池；锂离子电池，由于性能更大有取代镍氢电池之势，近几年又发展了塑料锂离子电池(也称聚合物锂离子电池)，由于电解液固化在聚合薄膜之中，电池可制成软性片状，是很有前途的产品，我省TCL公司在聚合物电池研究中有重要贡献；燃料电池，利用燃料(如氢气或含氢燃料)和氧化剂(如空气中的氧)直接发电，普遍认为是电动汽车理想的动力源。

　　砷化镓材料:向大直径长尺寸发展。随着GaAs IC集成度的提高和降低成本的需要，GaAs材料总的发展趋势是晶体大直径、长尺寸化。用于光电子领域的砷化镓材料采用水平布里其曼法(HB)、垂直布里其曼法(VB)和垂直梯度冷凝法(VGF)制备；半缘砷化镓材料主要应用于微电子领域，主要采用高压液封直拉法(HPLEC)、常压液封直拉法(LEC)、垂直布里其曼法(VB)和垂直梯度冷凝法(VGF)制备。VB/VGF技术在上已发展成为成熟的砷化镓晶体生长工艺，采用该技术生产的Ф76.2mm、Ф100mm的抛光片已商品化，目前国外半导体砷化镓材料的主流产品依然是Ф76.2mm。国内低阻砷化镓材料的主流产品为Ф50.8mm和Ф76.2mm。

　　液晶显示材料:空前繁荣。显示器市场显得空前繁荣与活跃，我国原有的TN-LCD、STN-LCD产业在液晶全行业中依然占据十分重要的，尽管其总产值已低于TFT-LCD，但TN-LCD、STN-LCD产业基本上保持了平稳发展的态势，而与它相关的材料、制造设备业也得到相应的发展。到目前为止，尽管我国LCD相关材料还不能满足TN、STN-LCD产业的需求，但是经过这些年的努力确有长足进步。首先是涉及的面宽了许多，几乎TN、STN-LCD产业所需的材料，国内都可以生产。其次产品质量上这几年也明显有所提高。第三，材料销售额在全行业的比重加大了，现在的问题是，我们的TFT器件产业起来了，但原材料大大地跟不上。现在除了背光源在相当程度上可满足TFT模块的要求外，几乎TFT器件生产所需要的材料都要。这就大大增加了成本，不利于产业健康发展。因此，大力发展TFT-LCD相关材料成了行业的共同任务和当务之急。