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　　 本篇只介绍低功率元器件，电源等大功率元器件不做介绍。此外本文重点是电子元器件的作用，至于元器件怎么做出来的不做过多介绍，感兴趣可以自行百度。其他的话，座子和开关也不做介绍了，毕竟这东西也没啥好介绍的

　　电阻的认识

　　  电阻本质上就是将电能转化为内能并释放出去的电子元件，其在电路中对电流有阻碍作用，市面上有各种各样类型的电阻，如下图所示:

　　如果按功能进行分类的话，电阻大概可以分为以下三类:

　　我们在进行电阻选型的时候，主要对其功能和参数进行考量。

　　  在功能上，比如我们需要速度调节，此时选择可变电阻。在PCB板上固定电阻，我们可以选择贴片电阻

　　  在参数上，我们主要对阻值、精度（采样电阻精度要求高点）、功率（同阻值一般封装大的电阻功率会大点）和电压（电压过大电阻可能烧毁）进行选择。

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　　单晶硅:中小尺寸为主。太阳能级硅单晶产量的大幅增加主要是受太阳能电池市场增长的拉动，以及国产单晶炉质量提高、价格较国外单晶炉低等原因。半导体级硅单晶总的发展状况趋于平稳。在硅材料中硅抛光片的技术含量高，抛光片的发展标志着国内硅产品的进步。我国的抛光片产量上涨势头良好，抛光片主要以4、5、6英寸为主。年硅外延片的产量中，我国只占的3.3%。目前，我国大部分企业只能生产4～6英寸硅外延片，8英寸、12英寸硅外延片正在研究试制。专家介绍说，硅材料市场前景广阔，我国硅单晶的产量、销售收入近几年递增较快，以中小尺寸为主的硅片生产已成为公认的事实，为世界和我国集成电路、半导体分立器件和光伏太阳能电池产业的发展做出了较大的贡献。

　　砷化镓材料:向大直径长尺寸发展。随着GaAs IC集成度的提高和降低成本的需要，GaAs材料总的发展趋势是晶体大直径、长尺寸化。用于光电子领域的砷化镓材料采用水平布里其曼法(HB)、垂直布里其曼法(VB)和垂直梯度冷凝法(VGF)制备；半缘砷化镓材料主要应用于微电子领域，主要采用高压液封直拉法(HPLEC)、常压液封直拉法(LEC)、垂直布里其曼法(VB)和垂直梯度冷凝法(VGF)制备。VB/VGF技术在上已发展成为成熟的砷化镓晶体生长工艺，采用该技术生产的Ф76.2mm、Ф100mm的抛光片已商品化，目前国外半导体砷化镓材料的主流产品依然是Ф76.2mm。国内低阻砷化镓材料的主流产品为Ф50.8mm和Ф76.2mm。

　　集成电路是由多个半导体器件、电子元件按设计要求实现电学互连而成的统一体。依据材料和工艺不同，分有半导体集成电路，厚膜电路， 薄膜混合电路，现在生产和使用的大多数是半导体集成电路(1C)。半导体集成电路按集成度(即每块芯片包含的元器件数)可分为小规模IC(／100个)、中规模IC(100--1000个)、大规模(1000---10万个)、超大规模(10万 一1000万个)、特大规模(1000万 一10亿个)、巨大规模(10亿以上)。按电路功能可分为数字IC，模拟IC，模拟／数字IC等。数字IC包括了存储器IC，逻辑IC，微处理器IC等。模拟IC包括线性放大器IC、运算放大器IC等。