应 用:半导体集成电路及器件的扩散、氧化、合金、退火等工艺 

　　工 艺:扩散（硼扩散、磷扩散等），氧化（干氧氧化、湿氧氧化-去离子水氧化、氢氧合成氧化等），退火，合金等等。 

　　结 构:水平结构，垂直结构 

　　晶圆规格:4"、5"、6"、8";

　　太阳能电池为125×125、156×156 

　　工艺管数:水平结构为1-4管，垂直结构为1管 

　　产品类型:生产型，科研型（R&D-小型） 

　　产品等级:普通级（一般性的科研与生产） 

　　标准级（国际通行技术标准及质量等级，如IC制造等） 

　　系统组成:主机（FURNACE）、气源柜（GAS/SOURCE CABINET）、 工作台（LOADSTATION-自动送片/净化）、计算机控制系统 

　　设备可配套提供典型的工艺及配套解决方案

　　扩散/氧化炉系统的主要技术指标

　　炉管配置:1-4管/台

　　晶圆规格:4"、5"、6"、8"

　　炉体控制段:3/5段

　　恒温区长:760（800）mm / 1000mm

　　反应室配置:石英管/碳化硅管

　　加热体材料:KANTHAL APM/A-1 或相当

　　温度均匀性:800-1300℃ /±0.5℃

　　300-900℃ /±1℃

　　工艺温度范围:300-1300℃

　　最大可控升温速度:15-20℃/min

　　最大降温速度:（1250～1000℃ ) 8℃/min

　　控制系统:工业计算机(10"-15"液晶屏)

　　送片系统:SiC悬臂/双石英杆

　　净化等级:100级或更好

　　净化风流:水平或垂直

　　送片速度:100mm-500mm/min

　　定位精度:2mm

　　气源气路:EP级316L管道1/4"或3/8"

　　阀门组件:SWAGELOK或相当

　　管道焊接:自动轨道焊接

　　工艺保证:提供典型的工艺