>>厦门兴锐达自动化设备有限公司

　　产品特点

　　・降低通态电阻70％(注3)，达到业内最高水平的低损耗。

　　・结合最新降低开关损耗的技术，使元器件总损耗降低14％(注4)。

　　3．主要规格(代表机型)

　　4．主要用途

　　・服务器、不间断电源、播放设备等信息通信设备；

　　・面向太阳能电力调节器等新能源领域的电力变换装置等。

　　注1MOSFET:Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应管。

　　注2SJ结构:电荷非平衡Superjunction结构

　　其特点是，由于是使MOSFET的耐压层的p区和n区交互存在的结构，可使n区的杂质浓度提高，所以可大幅度降低阻值。

　　以往面状结构的MOSFET，由于是通过向高阻抗的n层延展电绝缘区(过流层)来确保耐压水平的，因此通态电阻无法降至一定值以下。

　　而SJ结构，是通过在n区形成p区，这既可以在纵向又可在横向延展过流层，因此，即使n层阻抗下降，依然可以确保耐压水平。据此，可实现超过以往面状结构理论极限的低通态电阻。

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