SPNIS21

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　　★公司全称:

　　厦门航拓电气有限公司

　　厦门市湖里区华泰路5-11海西工业设计中心3F309

　　无损检测就是在不损伤和不破坏材料、制品或构件的情况下，就能检测出它们内部的情况，判别内部有无缺陷。现代无损检测的方法很多，例如:超声波探伤法、涡流探伤法、荧光探伤法及射线检测法等。射线检测法即可检查工件表面又可检查工件内部的缺陷。设备可以采用放射性同位素Co60产生的γ射线、X光机产生的低能X射线和电子加速器产生的高能X射线。尤其是探伤加速器的穿透本领和灵敏度高，作为一种最终检查手段或其它探伤方法的验证手段及在质量控制中，在大型铸锻焊件、大型压力容器、反应堆压力壳、火箭的固体燃料等工件的缺陷检验中得到广泛的应用。这种探伤加速器以电子直线加速器为主要机型。

　　超大规模集成电路是指集成度（每块芯片所包含的元器件数）大于10的集成电路。集成电路一般是在一块厚0.2～0.5mm、面积约为0.5mm的P型硅片上通过平面工艺制做成的。这种硅片（称为集成电路的基片）上可以做出包含为十个（或更多）二极管、电阻、电容和连接导线的电路

　　与分立元器件相比，集成电路元器件有以下特点:

　　1. 单个元器件的精度不高，受温度影响也较大，但在同一硅片上用相同工艺制造出来的元器件性能比较一致，对称性好，相邻元器件的温度差别小，因而同一类元器件温度特性也基本一致；

　　2. 集成电阻及电容的数值范围窄，数值较大的电阻、电容占用硅片面积大。集成电阻一般在几十Ω～几十 kΩ范围内，电容一般为几十pF。电感目前不能集成；

　　3. 元器件性能参数的绝对误差比较大，而同类元器件性能参数之比值比较精确；

　　4. 纵向NPN管β值较大，占用硅片面积小，容易制造。而横向PNP管的β值很小，但其PN结的耐压高。

　　它的设计特点:

　　由于制造工艺及元器件的特点，模拟集成电路在电路设计思想上与分立元器件电路相比有很大的不同。

　　1. 在所用元器件方面，尽可能地多用晶体管，少用电阻、电容；

　　2. 在电路形式上大量选用差动放大电路与各种恒流源电路，级间耦合采用直接耦合方式；

　　3. 尽可能地利用参数补偿原理把对单个元器件的高精度要求转化为对两个器件有相同参数误差的要求；尽量选择特性只受电阻或其它参数比值影响的电路

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　　MCF41A系列1.5KW~37KW

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　　MCV41A系列1.5KW~37KW

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　　31C系列2.2KW~7.5KW

　　MDX61B系列

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　　MDX61B0008-5A3-4-00

　　MDX61B0011-5A3-4-00