山东颜色感应管报价

　　继电器驱动常见电路，这里使用的是NPN三管，高电平控制。为没有控制信号时，三管处于截止状态，继电器不工作，这里加了一个10K的下拉电阻。为了限制基的输入电流，这里使用了4.3K的限流电阻，在单片机控制下，大输入电流Ib=（5-0.6）/4.3K=1mA。同时，我们再次强调，在继电器端并联一个续流二管，否则开关继电器的同时可能会损坏三管，这一点我们在讲述二管时已经说明。对于需要提供大电流才工作的LED电路，我们也考虑使用三管来驱动，有时甚至会需要多个三管同时才能驱动。

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　　结型光电二极管一般不用来测量很低的光强。如果弱光情况下需要高灵敏度探测器，雪崩光电二极管、感光耦合元件或者光电倍增管就能发挥作用，例如天文学、光谱学、夜视设备、激光测距仪等应用产品。

　　当照在光敏电阻上的光强变化时，电阻值也在变化。显然这是半导体材料的特性。使用光敏电阻可以检测光强的变化。电阻的封装有表面贴和轴向的封装。轴向封装有:axial0.4、axial0.6、axial0.8等等；axial在英语中就是轴的意思；表面贴电阻的封装常用的就是0805；当然还有更大的；但是更大的电阻不是很常用的。电阻作为限流应该是常用的应用之一，对于单片机外围设计来说，电阻的应用重要，在很多时候，我们在单片机的I/O端口上连接一个限流电阻，外围电路不会应用短路、过载等原因烧坏单片机的I/O端口，甚至整个单片机。

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　　半导体三管又称“晶体三管”或“晶体管”。在半导体锗或硅的单晶上制备两个能相互影响的PN结，组成一个PNP（或NPN）结构。中间的N区（或P区）叫基区，两边的区域叫发射区和集电区，这三部分各有一条电引线，分别叫基B、发射E和集电C，是能起放大、振荡或开关等作用的半导体电子器件。晶体三管（以下简称三管）按材料分有两种:锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用多的是硅NPN和锗PNP两种三管，（其中，N表示在高纯度硅中加入磷，是指取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而p是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）。两者除了电源性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结，而集电区与基区形成的PN结称为集电结，三条引线分别称为发射e、基b和集电c。