浙江光耦ctr

　　w=0.5cuu一个电容器，如果带1库的电量时两级间的电势差是1伏，这个电容器的电容就是1法，即:C=Q/U但电容的大小不是由Q（带电量）或U（电压）决定的，即:C=εS/4πkd。其中，ε是一个常数，S为电容板的正对面积，d为电容板的距离，k则是静电力常量。常见的平行板电容器，电容为C=εS/d（ε为板间介质的介电常数，S为板面积，d为板间的距离）。定义式:C=Q/U电容器的电势能计算公式:E=CU^2/2=QU/2=Q^2/2C多电容器并联计算公式:C=C1+C2+C3+…+Cn多电容器串联计算公式:1/C=1/C1+1/C2+…+1/Cn三电容器串联:C=（C1*C2*C3）/（C1*C2+C2*C3+C1*C3）电容是指容纳电场的能力。静电场都是由许多个电容组成，有静电场就有电容，电容是用静电场描述的。一般认为:孤立导体与无穷远处构成电容，导体接地等效于接到无穷远处，并与大地连接成整体。

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　　锡拉电容:在电容三点式振荡电路中，与电感振荡线圈两端并联的电容，起到消除晶体管结电容的影响，使振荡器在高频端容易起振。稳幅电容:在鉴频器中，用于稳定输出信号的幅度。预加重电容:为了避免音频调制信号在处理过程中造成对分频量衰减和丢失，而设置的RC高频分量提升网络电容。去加重电容:为了恢复原伴音信号，要求对音频信号中经预加重所提升的高频分量和噪声一起衰减掉，设置RC在网络中的电容。移相电容:用于改变交流信号相位的电容。反馈电容:跨接于放大器的输入与输出端之间，使输出信号回输到输入端的电容。降压限流电容:串联在交流回路中，利用电容对交流电的容抗特性，对交流电进行限流，从而构成分压电路。逆程电容:用于行扫描输出电路，并接在行输出管的集电与发射之间，以产生高压行扫描锯齿波逆程脉冲，其耐压一般在1500伏以上。S校正电容:串接在偏转线圈回路中，用于校正显像管边缘的延伸线性失真。

　　所有类型的光传感器都可以用来检测突发的光照，或者探测同一电路系统内部的发光。光电二极管常常和发光器件（通常是发光二极管）被合并在一起组成一个模块，这个模块常被称为光电耦合元件。

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　　具体公式不用细想，我们可以从中得知负载电容的减小可以使实际频率Fx变大，我们可以改变的只有Cg和Cd，通过初步的计算发现CL改变1pF,Fx可以改变几百Hz。原有电路使用的是33pF的两个电容，则并联起来是16.5pF，我们的贴片电容只有27pF,33pF，39pF,所以我们选用了27pF和39pF并联，则电容为15.95pF。电容焊好后，测量比原来大了200多赫兹，落在了设计范围内。