浙江光敏管合器

　　绕线电位器是将康铜丝或镍铬合金丝作为电阻体，并把它绕在缘骨架上制成。绕线电位器特点是接触电阻小，精度高，温度系数小，其缺点是分辨力差，阻值偏低，高频特性差。主要用作分压器、变阻器、仪器中调零和工作点等。金属膜电位器的电阻体可由合金膜、金属氧化膜、金属箔等分别组成。特点是分辩力高、耐高温、温度系数小、动噪声小、平滑性好。导电塑料电位器用将DAP（邻苯二甲酸二稀丙脂）电阻浆料覆在缘机体上，加热聚合成电阻膜，或将DAP电阻粉热塑压在缘基体的凹槽内形成的实心体作为电阻体。特点是:平滑性好、分辩力耐磨性好、寿命长、动噪声小、性高、耐化学腐蚀。用于宇宙装置、导弹、飞机雷达天线的伺服系统等。

　　光敏二极管是在反向电压作用之下工作的。没有光照时，反向电流很小（一般小于0.1微安），称为暗电流。当有光照时，携带能量的光子进入PN结后，把能量传给共价键上的束缚电子，使部分电子挣脱共价键，从而产生电子---空穴对，称为光生载流子。

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　　如何提高开关速度上面提到开路集电电路的大缺点就是开关速度不够快，在需要开关时，达不到我们的要求，为此下面我们看看怎么来提高其开关速度。由于基限流电路的作用，导致其开关速度受限。为此给限流电阻R1并联一个小容量的电容器。这样，当输入信号上升、下降时能够使R1电阻瞬间被旁路并提供基电流，从而消除开关时间滞后。提高三管开关速度的另外一种方法是添加肖特基二管箍位。这里利用的是这种二管是采用金属与半导体接触形成具有整流作用，这种二管的开关速度很快。

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　　在N型锗或硅的单晶片上，通过合金铟、铝等金属的方法制作PN结而形成的。正向电压降小，适于大电流整流。因其PN结反向时静电容量大，所以不适于高频检波和高频整流。在高温的P型杂质气体中，加热N型锗或硅的单晶片，使单晶片表面的一部变成P型，以此法PN结。因PN结正向电压降小，适用于大电流整流。近，使用大电流整流器的主流已由硅合金型转移到硅扩散型。PN结的制作方法虽然与扩散型相同，但是，只保留PN结及其必要的部分，把不必要的部分用品腐蚀掉。其剩余的部分便呈现面形，因而得名。初期生产的台面型，是对半导体材料使用扩散法而制成的。因此，又把这种台面型称为扩散台面型。对于这一类型来说，似乎大电流整流用的产品型号很少，而小电流开关用的产品型号却很多。