西藏光耦引脚定义

　　电阻元件的电阻值大小一般与温度，材料，长度，还有横截面积有关，衡量电阻受温度影响大小的物理量是温度系数，其定义为温度每升高1℃时电阻值发生变化的百分数。电阻的主要物理特征是变电能为热能，也可说它是一个耗能元件，电流经过它就产生内能。电阻在电路中通常起分压、分流的作用。对信号来说，交流与直流信号都可以通过电阻。导体的电阻通常用字母R表示，电阻的单位是欧姆（ohm），简称欧，符号是Ω（希腊字母，读作Omega)，1Ω=1V/A。比较大的单位有千欧（kΩ）、兆欧（MΩ）（兆=百万，即100万）。

　　西藏光耦引脚定义

　　结型光电二极管一般不用来测量很低的光强。如果弱光情况下需要高灵敏度探测器，雪崩光电二极管、感光耦合元件或者光电倍增管就能发挥作用，例如天文学、光谱学、夜视设备、激光测距仪等应用产品。

　　负载电容:是指与石英晶体谐振器一起决定负载谐振频率的有效外界电容。负载电容常用的标准值有16pF、20pF、30pF、50pF和100pF。负载电容可以根据具体情况作适当的调整，通过调整一般可以将谐振器的工作频率调到标称值。调谐电容:连接在谐振电路的振荡线圈两端，起到选择振荡频率的作用。衬垫电容:与谐振电路主电容串联的辅助性电容，调整它可使振荡信号频率范围变小，并能显著地提高低频端的振荡频率。

　　西藏光耦引脚定义

　　对于场效应管来说，在大学期间老师基本没有讲，让自己自学。到了工作的时候，我们发现场效应管应用还是比较广泛的。其实场效应管和三管还是很相似的。在很多应用中，甚至可以直接贴换三管。场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^7～10^12Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、工作区域宽等优点，现已成为双型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。