贵州贴片光敏二极管引脚定义

　　半导体二管主要是依靠PN结而工作的。与PN结不可分割的点接触型和肖特基型，也被列入一般的二管的范围内。包括这两种型号在内，根据PN结构造面的特点，把晶体二管分类如下:点接触型二管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后，再通过电流法而形成的。因此，其PN结的静电容量小，适用于高频电路。但是，与面结型相比较，点接触型二管正向特性和反向特性都差，因此，不能使用于大电流和整流。因为构造简单，所以价格便宜。

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　　管子不导通处于“死区”状态，当正向电压起过一定数值后，管子才导通，电压再稍微增大，电流急剧暗加（见曲线I段）。不同材料的二管，起始电压不同，硅管为0.5-.7伏左右，锗管为0.1-0.3左右。反向特性二管两端加上反向电压时，反向电流很小，当反向电压逐渐增加时，反向电流基本保持不变，这时的电流称为反向饱和电流（见曲线II段）。不同材料的二管，反向电流大小不同，硅管约为1微安到几十微安，锗管则可高达数百微安，另外，反向电流受温度变化的影响很大，锗管的稳定性比硅管差。击穿特性当反向电压增加到某一数值时，反向电流急剧增大，这种现象称为反向击穿（见曲线III）。这时的反向电压称为反向击穿电压，不同结构、工艺和材料制成的管子，其反向击穿电压值差异很大，可由1伏到几百伏，甚至高达数千伏。

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　　电子元器件基础知识导电体对电流的阻碍作用称为电阻，用符号R表示，单位为欧姆、千欧、兆欧，分别用Ω、KΩ、MΩ表示。一、电阻的型号命名方法:国产电阻器的型号由四部分组成（不适用敏感电阻）主称，用字母表示，表示产品的名字。如R表示电阻，W表示电位器。材料，用字母表示，表示电阻体用什么材料组成，T-碳膜、H-合成碳膜、S-有机实心、N-无机实心、J-金属膜、Y-氮化膜、C-沉积膜、I-玻璃釉膜、X-线绕。

　　光电二极管是在反向电压作用下工作的，没有光照时，反向电流极其微弱（一般小于0.1微安），叫暗电流；有光照时，反向电流迅速增大到几十到上百微安，称为光电流。光的强度越大，反向电流也越大。光的变化引起光电二极管电流变化，这就可以把光信号转换成电信号，成为光电传感器件。