湖北光敏管内部结构

　　不管怎么说，一般来说，我们还是可以根据经验是有电容:在单片机的主时钟输入电路中，一般可以选择22pF左右的起振电容，而在RTC时钟中选择6pF的起振电容，是没有问题的。当然，如果对时钟的要求比较严格时，还是建议参考晶振数据手册，选择电容。所示是电容复位电路。Al是CPU集成电路,脚是集成电路Al的复位引脚,复位引脚一般用RESET表示,脚内电路和外电路中的元件构成复位电路,Cl是复位电容,Sl是手动复位开关。这一复位电路的工作原理:I集成电路Al的脚内电路有一个斯密特触发器和一个提拉电阻R1,它一端接在直流电压+5V上,另一端通过Al的脚与外电路中的电容C1相连。

　　湖北光敏管内部结构

　　下面的继电器开关电路当开关的负载为继电器或电动机等电感性负载时，在截断流过负载的电流时（晶体管进入截止状态）会产生反向电动势。这时产生的电压大。当这种电压超过晶体管的集电-基间、集电-发射机间电压的大额定值Vcbo、Vceo时，晶体管将会被击穿。并联续流二管后，而与二管与继电器形成闭合回路，可以放掉继电器线圈产生的高达140V的反向电压，从而集电电位不高于电源电压的0.6V，而晶体管被击穿。

　　光敏二极管是电子电路中广泛采用的光敏器件。光敏二极管和普通二极管一样具有一个PN结，不同之处是在光敏二极管的外壳上有一个透明的窗口以接收光线照射，实现光电转换，在电路图中文字符号一般为VD。

　　湖北光敏管内部结构

　　管子不导通处于“死区”状态，当正向电压起过一定数值后，管子才导通，电压再稍微增大，电流急剧暗加（见曲线I段）。不同材料的二管，起始电压不同，硅管为0.5-.7伏左右，锗管为0.1-0.3左右。反向特性二管两端加上反向电压时，反向电流很小，当反向电压逐渐增加时，反向电流基本保持不变，这时的电流称为反向饱和电流（见曲线II段）。不同材料的二管，反向电流大小不同，硅管约为1微安到几十微安，锗管则可高达数百微安，另外，反向电流受温度变化的影响很大，锗管的稳定性比硅管差。击穿特性当反向电压增加到某一数值时，反向电流急剧增大，这种现象称为反向击穿（见曲线III）。这时的反向电压称为反向击穿电压，不同结构、工艺和材料制成的管子，其反向击穿电压值差异很大，可由1伏到几百伏，甚至高达数千伏。