西藏光耦合器

　　电感量的基本单位是亨利（简称亨），用字母“H”表示。常用的单位还有毫亨（mH）和微亨（μH），它们之间的关系是:1H=1000mH1mH=1000μH允许偏差是指电感器上标称的电感量与实际电感的允许误差值。一般用于振荡或滤波等电路中的电感器要求精度较高，允许偏差为±0.2%~±0.5%；而用于耦合、高频阻流等线圈的精度要求不高；允许偏差为±10%~15%。品质因数也称Q值或优值，是衡量电感器质量的主要参数。

　　光敏二极管是在反向电压作用之下工作的。没有光照时，反向电流很小（一般小于0.1微安），称为暗电流。当有光照时，携带能量的光子进入PN结后，把能量传给共价键上的束缚电子，使部分电子挣脱共价键，从而产生电子---空穴对，称为光生载流子。

　　西藏光耦合器

　　从放大电路到开关电路从发射放大电路演变掉开关电路的示意图如下:从图中可以看出，电路（a）去掉输入输出两个耦合电容后得到了电路（b），由于放大倍数是有Rc和Re两个电阻决定的，所以去掉Re后，得到了电路（c），同时，基偏置电路也没有什么必要，当输入信号为0V时三管处于截止状态，如图（d）。为了确保在没有信号输入时，三管处于截止状态，这里加上了下拉电阻R2。我们知道，如果在电路中输入信号超过0.6V时，三管的基和发射之间的二管将导通，开始为电路提高基电流，在这种状态下，由于没有限制电流的大小，可能会损害单片机端口和三管，为此还需要在基上添加一个限流电阻。至此一个开关电路就这样演变而来。

　　西藏光耦合器

　　合金扩散型二管它是合金型的一种。合金材料是容易被扩散的材料。把制作的材料通过巧妙地掺配杂质，就能与合金一起过扩散，以便在已经形成的PN结中获得杂质的恰当的浓度分布。此法适用于制造高灵敏度的变容二管。用外延面长的过程制造PN结而形成的二管。制造时需要的技术。因能随意地控制杂质的不同浓度的分布，故适宜于制造高灵敏度的变容二管。基本原理是:在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。其特长是:开关速度快:反向恢复时间trr地短。因此，能制作开关二和低压大电流整流二管。