陕西光敏管光敏管和光敏电阻的区别

　　中和电容:并接在三管放大器的基与发射之间，构成负反馈网络，以抑制三管间电容造成的自激振荡。稳频电容:在振荡电路中，起稳定振荡频率的作用。定时电容:在RC时间常数电路中与电阻R串联，共同决定充放电时间长短的电容。加速电容:接在振荡器反馈电路中，使正反馈过程加速，提高振荡信号的幅度。缩短电容:在UHF高频头电路中，为了缩短振荡电感器长度而串联的电容。克拉波电容:在电容三点式振荡电路中，与电感振荡线圈串联的电容，起到消除晶体管结电容对频率稳定性影响的作用。

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　　光敏二极管的特性有五个:光谱特性、伏安特性、光照特性、温度特性以及频率响应特性。光敏二极管和普通二极管相似，都对电流有放大的作用，不同的是它的集电极电流不只是受基极电路和电流控制，它还要受光辐射的控制。

　　不管什么样的三管，其实其工作原理是一致的，从外部看来，因为在基输入了一个小电流被变化而出现在集电和发射之间就出现了一个被放大的电流。三管实际上可以这样理解，在三管的基和发射之间加入了二管，当三管工作时，基与发射之间的二管的正向压降为0.6~0.7V。反过来可以这样理解，要让三管工作，实际上可以让三管里边的二管工作，当这个二管工作了，那么三管以就工作了。而且从上图可以看出，由箭头可以看出PN的方向，同时由这个PN结就可以确定管子的类型为NPN，还是PNP了。例如上图的个三管基的PN结的P，发射是PN结的N，故集电应该为N，所以，个三管为NPN型，同样的方法可以确定第2个三管为PNP。

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　　管子不导通处于“死区”状态，当正向电压起过一定数值后，管子才导通，电压再稍微增大，电流急剧暗加（见曲线I段）。不同材料的二管，起始电压不同，硅管为0.5-.7伏左右，锗管为0.1-0.3左右。反向特性二管两端加上反向电压时，反向电流很小，当反向电压逐渐增加时，反向电流基本保持不变，这时的电流称为反向饱和电流（见曲线II段）。不同材料的二管，反向电流大小不同，硅管约为1微安到几十微安，锗管则可高达数百微安，另外，反向电流受温度变化的影响很大，锗管的稳定性比硅管差。击穿特性当反向电压增加到某一数值时，反向电流急剧增大，这种现象称为反向击穿（见曲线III）。这时的反向电压称为反向击穿电压，不同结构、工艺和材料制成的管子，其反向击穿电压值差异很大，可由1伏到几百伏，甚至高达数千伏。