山东EVERLIGHT光敏二极管850nm 940nm

　　耦合电容利用了电容为主要的一个特性:隔直传交。通过这一特性，可以很好的把直流电路与交流电路进行耦合，以保障其相互协调工作。对于单片机外围电路来说，使用比较多的耦合电容是，单片机需要与交流信号进行通信的地方，例如:ADC和DAC。在AD于DA电路上，我们需要把数字信号和模拟信号进行相互转换，为保障数字喜欢与模拟喜欢的互不干涉，我们往往需要在单片机的输入端或输出端串联一个电容，对电路进行耦合。

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　　结型光电二极管一般不用来测量很低的光强。如果弱光情况下需要高灵敏度探测器，雪崩光电二极管、感光耦合元件或者光电倍增管就能发挥作用，例如天文学、光谱学、夜视设备、激光测距仪等应用产品。

　　电压有一微小的增加，反向电流亦会猛增（反向击穿曲线很徒直）这时，二管处于击穿状态，如果把击穿电流限制在一定的范围内，管子就可以长时间在反向击穿状态下稳定工作。硅稳压管伏安特性曲线?变容二管变容二管是利用PN结的电容随外加偏压而变化这一特性制成的非线性电容元件，被广泛地用于参量放大器，电子调谐及倍频器等微波电路中，变容二管主要是通过结构设计及工艺等一系列途径来突出电容与电压的非线性关系，并提高Q值以适合应用。

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　　早期的二管包含“猫须晶体（"Cat'sWhisker"Crystals）”以及真空管(英国称为“热游离阀（ThermionicValves）”)。现今普遍的二管大多是使用半导体材料如硅或锗。外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。这个不能使二管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后，PN结内电场被克服，二管正向导通，电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内，导通时二管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二管的正向电压。当二管两端的正向电压超过一定数值Vth，内电场很快被削弱，电流迅速增长，二管正向导通。Vth叫做门坎电压或阈值电压，硅管约为0.5V，锗管约为0.1V。硅二管的正向导通压降约为0.6~0.8V，锗二管的正向导通压降约为0.2~0.3V。